Материалы по тегу: ram

10.04.2025 [09:14], Владимир Мироненко

ZeroPoint Technologies и Rebellions займутся разработкой ИИ-ускорителей со «сжимаемой» памятью

Шведская компания ZeroPoint Technologies, специализирующаяся на создании решений для оптимизации памяти, объявила о стратегическом альянсе с южнокорейским разработчиком ИИ-чипов Rebellions с целью разработки ИИ-ускорителей для инференс. Компании планируют представить новые продукты в 2026 году, обещая «беспрецедентную производительность в пересчёте на токены в секунду на Вт (TPS/W)», пишет EE Times.

Компании планируют увеличить эффективную пропускную способность и ёмкость памяти для нагрузок инференса, используя технологии сжатия, уплотнения и управления памятью от ZeroPoint Technologies. По словам генерального директора ZeroPoint Technologies Класа Моро (Klas Moreau), аппаратная оптимизация работы с памятью на уровне ЦОД позволит увеличить адресуемую ёмкость с ускорением работы почти в 1000 раз по сравнению с использованием программного сжатия.

Компании планируют улучшить показатели токенов в секунду на Вт без ущерба для точности, используя сжатие модели без потерь для уменьшения её размера и сокращения использования энергии, необходимой для перемещения компонентов модели. Гендиректор Rebellions Сонхён Пак (Sunghyun Park) указал, что партнёрство позволит компаниям переопределить возможности инференса, предоставляя более умную, экономичную и устойчивую ИИ-инфраструктуру.

 Источник изображения: ZeroPoint Technologies

Источник изображения: ZeroPoint Technologies

Моро ранее заявил, что более 70 % данных, хранящихся в памяти, являются избыточными, что позволяет полностью избавиться от них, добившись сжатия без потерь полезной информации. Такая технология сжатия должна выполнять ряд специфических действий в пределах наносекунды, т.е. всего нескольких тактов: «Во-первых, она должна отрабатывать сжатие и распаковку. Во-вторых, она должна уплотнять полученные данные, собирая небольшие фрагменты в единичную линию кеша, чтобы значительно улучшить видимую пропускную способность памяти, и, наконец, она должна бесперебойно управлять данными, отслеживая все фрагменты. Чтобы минимизировать задержку, такой подход должен работать с гранулярностью линий кеша — сжимая, уплотняя и управляя данными в 64-байт фрагментах — в отличие от гораздо больших блоков 4–128 Кбайт, используемых традиционными методами сжатия вроде ZSTD и LZ4».

По словам Моро, благодаря этой технологии, для базовых рабочих нагрузок в ЦОД гиперскейлера адресуемая ёмкость памяти и пропускная способность могут быть увеличены в два-четыре раза, производительность на Вт может увеличиться на 50 %, а совокупная стоимость владения (TCO) может быть значительно снижена. А для специализированных нагрузок, таких как большие языковые модели (LLM), интеграция программного сжатия в сочетании с встроенной аппаратной декомпрессией (что минимизирует любую дополнительную задержку) уже продемонстрировала прирост примерно на 50 % в адресуемой ёмкости памяти, пропускной способности и токенах в секунду.

Моро утверждает, что грядущая интеграция аппаратной (де-)компрессии обещает ещё более существенные улучшения. Например, для базовых ИИ-нагрузок кластер со 100 Гбайт физической памяти благодаря использованию этой технологии будет функционировать так, как если бы у него было 150 Гбайт памяти. «Это не только представляет собой миллиарды долларов потенциальной экономии, но и может повысить производительность сложных ИИ-моделей», — заявил Моро. «Эти достижения обеспечивают надёжную основу для компаний, производящих чипы ИИ, позволяя бросить вызов доминированию таких гигантов отрасли, как NVIDIA», — добавил он.

Постоянный URL: http://servernews.ru/1121013
08.04.2025 [08:30], Владимир Мироненко

Поставщики памяти, накопителей и СХД в основном проиграют от торговой войны США

Введение президентом США пошлин отразится на американских компаниях, у которых компоненты многонациональной цепочки поставок и готовая продукция импортируются в Америку, а также на цене продукции иностранных поставщиков, импортируемой в США, пишет ресурс Blocks & Files. Торговая война также затронет американских поставщиков систем хранения, экспортирующих в те страны, которые в ответ тоже повышают пошлины. Таким образом, можно говорить о трёх группах компаний, которые столкнутся с различными проблемами после роста пошлин.

США назначили Китаю самую высокую пошлину в 54 %. И это не предел, поскольку в связи с решением Китая повысить в ответ пошлины на 34 % США, в свою очередь, могут повысить ставку до 104 %, пишет The Register. За Китаем следует Камбоджа с пошлиной в 49 %, Лаос — 48 %, Вьетнам — 46 %, Таиланд — 37 %, Индонезия и Тайвань — по 32 %, Индия — 27 %, Южная Корея — 26 %, Япония — 24 %, Евросоюз — 18,5 %, Филиппины — 18 %.

Среди компаний, поставляющих товары в США, введение пошлин может затронуть поставщиков DRAM, NAND, SSD, лент и ленточных приводов, а также тех, кто производит контроллеры СХД и серверные процессоры. Следует учесть, что согласно приложению II Гармонизированного тарифного графика США (HTSUS), полупроводниковые чипы освобождены от пошлин, но не товары, которые содержат их в качестве компонентов.

 Источник изображения: Gabriel Meinert / Unsplash

Источник изображения: Gabriel Meinert / Unsplash

Так, Micron производит DRAM, NAND и SSD. DRAM выпускается в Бойсе (штат Айдахо), а также в Японии, Сингапуре и на Тайване. Освобождение от пошлин может применяться к чипам DRAM и NAND, но не обязательно к SSD, содержащим NAND, поскольку для них нет специального освобождения. На товары будут действовать пошлины для страны происхождения, установленные администрацией США.

Samsung, производит DRAM и NAND в основном в Южной Корее, но часть NAND выпускается в Китае. Сборка SSD сосредоточена в Южной Корее, поэтому они, скорее всего, подпадают под 26-% пошлину. SK hynix, производит чипы DRAM, NAND и SSD в Южной Корее, в то время как её дочерняя компания Solidigm производит SSD в Китае. То есть на её ценах отразится 54-% пошлина на SSD из Китая и 26-% — на продукцию из Южной Кореи.

Kioxia, производит NAND и SSD в Японии, при ввозе в США её продукты будут облагаться 24-% пошлиной. NAND-память SanDisk производится в Японии (совместно с Kioxia), но часть SSD выпускается на заводах в Китае, что подразумевает применение 54-% пошлины. Это означает, что SSD Kioxia, Samsung и SK hynix, могут оказаться дешевле, чем SSD Sandisk, а вот SSD Solidigm — нет.

 Источник изображения:  The New York Public Library / Unsplash

Источник изображения: The New York Public Library / Unsplash

У HDD Seagate довольно сложная и интегрированная международная цепочка поставок, включающая Китай, Таиланд, Сингапур и Малайзию. Компания производит пластины для дисков и часть самих HDD (например, Exos) в Китае, а двигатели, узлы привода головок и жёсткие диски других серий — в Таиланде. Кроме того, пластины и некоторые другие диски собираются в Сингапуре и Малайзии. Новые пошлины будут применяться при импорте дисков в США и будут зависесть от страны происхождения. Столь резкое увеличение цен из-за пошлин может вызвать шок у клиентов, отметил ресурс Blocks & Files.

Western Digital собирает свои диски в Малайзии и Таиланде, и поэтому столкнётся с пошлинами в размере 24 % и 36 % соответственно. Жёсткие диски Toshiba производятся в Китае, на Филиппинах и в Японии, что подразумевает импортные пошлины США в размере 54, 18 и 24 % соответственно. Записываемые диски Blu-ray и DVD производятся в Китае, Индии, Японии и на Тайване — они точно так же будут облагаться пошлинами в зависимости от страны выпуска.

IBM производит ленточные накопители, проприетарные и LTO, в Тусоне (штат Аризона), поэтому её коснутся только пошлины на любые компоненты иностранного производства, которые она будет импортировать. Fujifilm производит LTO-накопители в Бедфорде (штат Массачусетс), а Sony — в Японии, что означает 24-процентную пошлину на ввоз в США. Fujifilm — в выигрыше от ввода пошлин, а Sony — наоборот.

 Источник изображения:  Evergreens & Dandelions / Unsplash

Источник изображения: Evergreens & Dandelions / Unsplash

Контроллеры хранения данных и серверные процессоры в основном производятся Intel, некоторые — компанией AMD. У Intel есть фабрики в Орегоне (Хиллсборо), Аризоне (Чандлер) и Нью-Мексико (Рио-Ранчо). Сборочные, испытательные и упаковочные мощности для CPU имеются в Израиле, Малайзии, Вьетнаме, Китае и Коста-Рике. Часть продукции выпускается завод в графстве Килдэр (Ирландия). AMD во много зависит от тайваньских фабрик TSMC. Однако обе компании, а заодно и производители Arm-чипов, пошлины не затронут. Зато экспорт в Китай подпадёт под ответные 34-% пошлины.

Массивы хранения данных в основном производятся в США, где находятся все производства Dell, HPE и NetApp. А вот Hitachi Vantara производит свои хранилища в Японии, поэтому на них будет действовать 24-%. СХД Lenovo фактически являются OEM-массивами NetApp, поэтому она может избежать пошлин. СХД Infinidat выпускаются на производственных мощностях Arrow Electronics, которая имеет глобальную цепочку поставок с США в роли главного хаба. Где именно по факту производятся массивы, Infinidat не говорит.

Поставщики неамериканских СХД в США столкнутся с пошлинами в зависимости от страны их базирования. Чтобы избежать этого, компании могут инвестировать в американские подразделения, хотя для многих в нынешней ситуации это может быть не очень целесообразно. Третья группа поставщиков СХД — это американские компании, экспортирующие продукцию, например, в Китай, который в ответ повышает собственные пошлины на ввоз товаров из США — с 10 апреля она составит 34 %. Одним из победителей в этой торговой войне Blocks & Files назвал Huawei, которая не поставляет товары в США.

Постоянный URL: http://servernews.ru/1120918
29.03.2025 [10:57], Владимир Мироненко

SK hynix распродала почти всю память HBM, которую выпустит в 2026 году

На этой неделе состоялось ежегодное собрание акционеров компании SK hynix, на котором Квак Но-чжун (Kwak Noh-jung) заявил, что переговоры компании с клиентами о продажах памяти HBM в 2026 году близки к завершению. Как пишет The Register, заявление гендиректора было воспринято как знак того, что, как и в прошлом году, SK hynix распродаст весь объём выпуска HBM на год вперёд.

На мероприятии было объявлено, что в последние недели наблюдается всплеск заказов на поставки HBM, поскольку компании стремятся заключить контракты до ожидаемого увеличения США пошлин на импортируемые полупроводники. Напомним, что в феврале президент США Дональд Трамп (Donald Trump) заявил о намерении ввести тарифы на импорт полупроводников на уровне 25 % и выше, добавив, что в течение года они могут вырасти до 50 % и даже 100 %.

 Источник изображений: SK hynix

Источник изображений: SK hynix

Квак также сообщил акционерам, что SK hynix ожидает «взрывного» роста продаж HBM. На вопрос о том, представляет ли угрозу планам компании то, что DeepSeek использует для обучения своих ИИ-моделей сравнительно небольшие вычислительные мощности, глава SK hynix заявил, что достижения китайского стартапа станут стимулом для более широкого внедрения ИИ, что повлечёт за собой ещё больший спрос на продукцию SK hynix со стороны большего количества покупателей. Такой ответ стал почти стандартным для руководителей компаний, предоставляющих оборудование для обработки рабочих ИИ-нагрузок, на вопрос о том, формируется ли на ИИ-рынке «ценовой пузырь» и что может произойти, если он лопнет, отметил The Register.

На прошлой неделе компания заявила, что отправила клиентам первые образцы 12-слойной памяти HBM4, отметив, что «образцы были доставлены с опережением графика» и что «она намерена завершить подготовку к массовому производству 12-слойной продукции HBM4 во второй половине года».

Постоянный URL: http://servernews.ru/1120501
26.03.2025 [10:39], Сергей Карасёв

SMART Modular представила энергонезависимые CXL-модули памяти NV-CMM-E3S

Компания SMART Modular Technologies объявила о начале пробных поставок улучшенных энергонезависимых модулей памяти CXL (Non-Volatile CXL Memory Module, NV-CMM), соответствующих стандарту CXL 2.0. Изделия ориентированы на применение в дата-центрах, которые поддерживают такие нагрузки, как резидентные базы данных, аналитика в реальном времени и приложения НРС.

Новинка (NV-CMM-E3S) объединяет память DDR4-3200 DRAM, флеш-память NAND и источник резервного питания в форм-факторе E3.S 2T (EDSFF). Задействован интерфейс PCIe 5.0 x8. Применяются контроллеры на базе ASIC и FPGA.

Устройство NV-CMM имеет ёмкость 32 Гбайт, а максимальная пропускная способность заявлена на уровне 32 Гбайт/с. Поддерживается шифрование информации по алгоритму AES-256. Интегрированный источник аварийного питания обеспечивает сохранность критически важных данных при непредвиденных отключениях электроэнергии, что повышает надёжность и доступность системы в целом. В случае сбоя в центральной сети энергоснабжения производится копирование данных из DRAM в NAND, а после восстановления подачи энергии выполняется обратный процесс. Изделие обеспечивает более быструю перезагрузку виртуальных машин и сокращает время простоя в облачных инфраструктурах.

 Источник изображения: SMART Modular Technologies

Источник изображения: SMART Modular Technologies

Устройство имеет размеры 112,75 × 15 × 76 мм. Эксплуатироваться модуль может при температурах окружающей среды до +40 °C. Отмечается, что внедрение NV-CMM на основе стандарта CXL знаменует собой важную веху в удовлетворении растущих потребностей платформ ИИ, машинного обучения и аналитики больших данных. 

Постоянный URL: http://servernews.ru/1120315
20.03.2025 [13:14], Сергей Карасёв

Micron, Samsung и SK hynix представили компактные модули памяти SOCAMM для ИИ-серверов

Компании Micron, Samsung и SK hynix, по сообщению ресурса Tom's Hardware, создали модули оперативной памяти SOCAMM (Small Outline Compression Attached Memory Modules) на основе чипов LPDDR5X. Изделия ориентированы на ИИ-системы и серверы с пониженным энергопотреблением.

Модули SOCAMM имеют размеры 14 × 90 мм, что примерно в три раза меньше по сравнению с традиционными решениями RDIMM. В состав SOCAMM входят до четырёх 16-кристальных стеков памяти LPDDR5X. Изделия нового формата спроектированы специально для дата-центров, оптимизированных для приложений ИИ.

Micron разработала модули SOCAMM ёмкостью 128 Гбайт, при производстве которых используется техпроцесс DRAM 1β (пятое поколение 10-нм техпроцесса). Скоростные показатели не раскрываются. Но Micron говорит о производительности на уровне 9,6 GT/s (млрд пересылок в секунду). В свою очередь, SK Hynix на конференции NVIDIA GTC 2025 представила модули SOCAMM, для которых заявлена скорость в 7,5 GT/s.

 Источник изображения: Micron

Источник изображения: Micron

Отмечается, что на оперативную память приходится значительная доля энергопотребления серверов. Например, в системах, оснащённых терабайтами DDR5, энергопотребление ОЗУ может превышать энергопотребление CPU. Компания NVIDIA учла это при разработке чипов Grace, выбрав для них память LPDDR5X, которая потребляет меньше энергии, чем DDR5. Однако в случае GB200 Grace Blackwell пришлось использовать впаянные блоки LPDDR5X, поскольку самостоятельные стандартные модули LPDDR5X не соответствовали требованиям в плане ёмкости. Изделия SOCAMM, массовое производство которых уже началось, позволяют решить данную проблему.

На первом этапе модули SOCAMM будут применяться в серверах на основе суперчипов NVIDIA GB300. Но пока не ясно, станут ли решения SOCAMM отраслевым стандартом, поддерживаемым JEDEC, или останутся фирменным продуктом, разработанным Micron, Samsung, SK hynix и NVIDIA для серверов, построенных на чипах Grace и Vera.

Постоянный URL: http://servernews.ru/1120022
08.03.2025 [21:26], Сергей Карасёв

Team Group представила самоуничтожающиеся SSD P250Q, а также DDR5-модули памяти CU-DIMM, CSO-DIMM, (LP)CAMM и CXL

Компания Team Group 2025 анонсировала большое количество новинок для индустриального и коммерческого применения. Дебютировали SSD в различных форм-факторах, модули оперативной памяти, а также флеш-карты micro SD.

В частности, представлен накопитель P250Q One-Click Data Destruction SSD, особенность которого заключается в поддержке физического уничтожения флеш-памяти с целью недопустимости извлечения информации. Эта функция дополняет традиционное программное стирание, исключая возможность восстановления конфиденциальных данных.

Кроме того, анонсированы накопители RF40 E1.S Enterprise SSD в форм-факторе E1.S для дата-центров. Эти устройства допускают горячую замену, а за отвод тепла отвечает запатентованный медно-графеновый радиатор толщиной всего 0,17 мм. На промышленный сектор ориентированы изделия серий R840 и R250 типоразмера М.2, оснащённые интерфейсом PCIe 5.0 x4. В этих SSD применён контроллер, при производстве которого используется 6-нм технология TSMC. Информация о вместимости и скоростных характеристиках всех перечисленных изделий пока не раскрывается.

В список новинок вошли модули оперативной памяти промышленного класса DDR5 стандартов CU-DIMM (Clocked Unbuffered DIMM) и CSO-DIMM (Clocked Small Outline DIMM). Они функционируют на частоте 6400 МГц при напряжении питания 1,1 В. Эти модули могут применяться в серверах, индустриальных ноутбуках повышенной прочности и пр.

 Источник изображения: Team Group

Источник изображения: Team Group

Анонсированы также модули памяти CAMM2 и LPCAMM2 (Compression Attached Memory Module 2), рассчитанные на промышленные системы, edge-устройства и пр. Такие решения монтируются параллельно материнской плате, благодаря чему занимают меньше места в высоту. Для установки применяются резьбовые стойки. Память соответствует стандарту DDR5-6400.

В число прочих новинок вошли серверные модули памяти CXL 2.0 Server Memory Module. Плюс к этому представлены карты памяти D500R WORM Memory Card и D500N Hidden Memory Card. Первые ориентированы WORM-нагрузки (Write Once, Read Many), что предотвращает стирание или изменение данных. Карты второго типа получили встроенную функцию скрытия разделов.

Постоянный URL: http://servernews.ru/1119424
03.03.2025 [08:13], Сергей Карасёв

Больше бит за те же деньги: память Sandisk 3D Matrix Memory обещает производительность на уровне DRAM при снижении цены и увеличении ёмкости

Компания Sandisk, по сообщению TechRadar, обнародовала информацию о памяти нового типа 3D Matrix Memory, которая, как ожидается, в перспективе станет более доступной альтернативой DRAM. Работы над 3D Matrix Memory ведутся с 2017 года в сотрудничестве со специалистами международного микро- и наноэлектронного научно-исследовательского центра IMEC в Лёвене (Бельгия).

3D Matrix Memory использует архитектуру плотного массива с ячейками памяти нового типа. Говорится о совместимости с открытыми отраслевыми стандартами, такими как CXL. По утверждениям Sandisk, разрабатываемая технология позволит преодолеть ограничения в плане ёмкости и пропускной способности, с которыми столкнулись другие типы памяти на фоне стремительного развития ИИ.

 Источник изображений: Sandisk

Источник изображений: Sandisk

Для 3D Matrix Memory заявлен высокий уровень масштабируемости. Предполагается, что в перспективе такая память обеспечит в четыре раза большую ёмкость по сравнению с DRAM при сопоставимой производительности и двукратном снижении стоимости. Sandisk утверждает, что характеристики памяти 3D Matrix Memory с течением времени будут улучшаться, повышая её экономическую эффективность.

Изделия 3D Matrix Memory первого поколения будут обладать ёмкостью 32–64 Гбит. Одним из первых покупателей памяти станет Министерство обороны США, которое намерено использовать её в аэрокосмическом секторе. О сроках начала массового производства пока ничего не сообщается.

Нужно отметить, что ранее Sandisk предложила технологию флеш-памяти с высокой пропускной способностью HBF (High Bandwidth Flash), которая может стать альтернативой HBM (High Bandwidth Memory) в ИИ-ускорителях при решении определённых задач, таких как инференс. По сравнению с HBM использование HBF позволит увеличить объём памяти ИИ-карт в 8 или даже 16 раз при сопоставимой цене. Кроме того, Sandisk проектирует SSD сверхвысокой вместимости для дата-центров: накопители на фирменной платформе UltraQLC смогут вмещать до 1 Пбайт информации.

Постоянный URL: http://servernews.ru/1119086
18.02.2025 [21:47], Владимир Мироненко

«Корпоративный Telegram» с ГОСТ-шифрованием: «Иридиум» представил защищённый мессенджер DMTChat

Российский разработчик ПО «Иридиум» представил защищённое приложение DMTChat для обмена сообщениями на базе мессенджера Telegram, отличающееся повышенной защитой конфиденциальности переписки. Приложение получило продвинутые функции защиты данных с применением современных криптографических технологий и российских стандартов информационной безопасности, говорится в пресс-релизе.

DMTChat поддерживает абонентское шифрование данных прямо на устройстве с использованием российских криптоалгоритмов (ГОСТ) и обеспечивает безопасность передачи данных, которые невозможно расшифровать при перехвате на серверах Telegram или в Сети. Сообщается, что ключи шифрования не передаются на сторонние серверы и не доступны третьим лицам. Функции дополнительной верификации сообщений исключает вероятность утечки данных и обеспечивают защиту от подмены сообщений. Также можно сразу удалять сообщения или их части без возможности восстановления в дальнейшем.

 Источник изображения: «Иридиум»

Источник изображения: «Иридиум»

Приложение обладает привычным дизайном мессенджера Telegram и совместимо с мобильными версиями Android 6.0 и выше. Приложение может использоваться для общения с пользователями стандартного Telegram, но в этом случае дополнительные функции защиты доступны не будут. Вскоре приложение интегрируют в почтовый клиент DeepMail. Также планируется расширение круга совместимых ОС (iOS, Windows, Linux, macOS) и размещение приложения в App Store, Google Play и RuStore.

Постоянный URL: http://servernews.ru/1118479
17.01.2025 [13:54], Сергей Карасёв

ADATA представила модули DDR5-6400 CU-DIMM и CSO-DIMM с широким температурным диапазоном

Компания ADATA Industrial анонсировала модули оперативной памяти промышленного класса DDR5-6400 стандартов CU-DIMM (Clocked Unbuffered DIMM) и CSO-DIMM (Clocked Small Outline DIMM). Изделия рассчитаны на эксплуатацию в суровых условиях. Они могут применяться в оборудовании для дата-центров, в ИИ-устройствах для периферийных вычислений, транспортных системах, IoT-приборах и пр.

Модули функционируют при напряжении 1,1 В. Вне зависимости от форм-фактора доступны варианты ёмкостью 8, 16 и 32 Гбайт. Говорится о поддержке ECC. ADATA предлагает модификации со стандартным и расширенным температурным диапазоном: в первом случае он простирается от 0 до +95 °C, во втором — от -40 до +95 °C.

 Источник изображения: ADATA Industrial

Источник изображения: ADATA Industrial

Реализована технология TVS (Transient Voltage Suppressor), обеспечивающая защиту от перепадов напряжения. Специальное конформное покрытие помогает минимизировать негативное влияние факторов окружающей среды: повышенных температур, влаги, загрязнений, химических веществ и механических воздействий.

По желанию заказчика может быть добавлена защита от сульфирования. Отмечается, что в среде с высокой концентрацией серы при определённых условиях (высоких температурах, влажности и загрязнениях) могут образовываться различные виды соединений серы, которые воздействуют на серебряные сплавы в DRAM-чипах. Это может приводить к выводу модулей из строя. Для решения проблемы ADATA предлагает соответствующую защиту.

Постоянный URL: http://servernews.ru/1116880
16.01.2025 [08:04], Алексей Степин

Терабайтные GPU: Panmnesia продемонстрировала CXL-память для ИИ-ускорителей

Компания Panmnesia работает в области проектирования CXL-пулов DRAM довольно давно: в 2023 году она демонстрировала систему, оставляющую позади все решения на базе RDMA и обеспечивающую доступ к 6 Тбайт оперативной памяти. Но большие объёмы памяти сегодня, в эпоху всё более усложняющихся ИИ-моделей, нужны не только и не столько процессорам, сколько ускорителям, априори лишённым возможности апгрейда набортной RAM. На выставке CES 2025 компания продемонстрировала решение данной проблемы.

По мнению разработчиков Panmnesia, производительность при обучении масштабных ИИ-моделей упирается именно в объёмы набортной памяти ускорителей: вместо десятков гигабайт требуются уже терабайты, а установка дополнительных ускорителей может обходиться слишком дорого при том, что вычислительные мощности окажутся избыточными.

 Источник здесь и далее: Panmnesia

Источник здесь и далее: Panmnesia

Продемонстрированная на выставке CXL-система построена на базе новейшего контроллера Panmnesia с поддержкой CXL 3.1. В двунаправленном режиме латентность доступа составила менее 100 нс и находится примерно на уровне 80 нс.

Ключ к успеху здесь кроется в фирменной реализации CXL 3.1, включая программную часть, благодаря которой GPU могут обращаться к общему пулу памяти, используя те же инструкции типа load/store, что при доступе к набортной HBM или GDDR.

Однако технология требует наличия на борту GPU фирменного контроллера CXL Root Complex, одной из важнейших частей которого является декодер HDM, отвечающий за управление адресным пространством памяти (host physical address, HPA), так что уже выпущенные ускорители напрямую работать с системой Panmnesia не смогут.

Тем не менее, технология выглядит многообещающей. Она уже привлекла внимание со стороны компаний, занимающихся ИИ, как потенциально позволяющая снизить стоимость инфраструктуры ЦОД.

Постоянный URL: http://servernews.ru/1116742
Система Orphus