Введение президентом США пошлин отразится на американских компаниях, у которых компоненты многонациональной цепочки поставок и готовая продукция импортируются в Америку, а также на цене продукции иностранных поставщиков, импортируемой в США, пишет ресурс Blocks & Files. Торговая война также затронет американских поставщиков систем хранения, экспортирующих в те страны, которые в ответ тоже повышают пошлины. Таким образом, можно говорить о трёх группах компаний, которые столкнутся с различными проблемами после роста пошлин.

США назначили Китаю самую высокую пошлину в 54 %. И это не предел, поскольку в связи с решением Китая повысить в ответ пошлины на 34 % США, в свою очередь, могут повысить ставку до 104 %, пишет The Register. За Китаем следует Камбоджа с пошлиной в 49 %, Лаос — 48 %, Вьетнам — 46 %, Таиланд — 37 %, Индонезия и Тайвань — по 32 %, Индия — 27 %, Южная Корея — 26 %, Япония — 24 %, Евросоюз — 18,5 %, Филиппины — 18 %.

Среди компаний, поставляющих товары в США, введение пошлин может затронуть поставщиков DRAM, NAND, SSD, лент и ленточных приводов, а также тех, кто производит контроллеры СХД и серверные процессоры. Следует учесть, что согласно приложению II Гармонизированного тарифного графика США (HTSUS), полупроводниковые чипы освобождены от пошлин, но не товары, которые содержат их в качестве компонентов.

Источник изображения: Gabriel Meinert / Unsplash

Так, Micron производит DRAM, NAND и SSD. DRAM выпускается в Бойсе (штат Айдахо), а также в Японии, Сингапуре и на Тайване. Освобождение от пошлин может применяться к чипам DRAM и NAND, но не обязательно к SSD, содержащим NAND, поскольку для них нет специального освобождения. На товары будут действовать пошлины для страны происхождения, установленные администрацией США.

Samsung, производит DRAM и NAND в основном в Южной Корее, но часть NAND выпускается в Китае. Сборка SSD сосредоточена в Южной Корее, поэтому они, скорее всего, подпадают под 26-% пошлину. SK hynix, производит чипы DRAM, NAND и SSD в Южной Корее, в то время как её дочерняя компания Solidigm производит SSD в Китае. То есть на её ценах отразится 54-% пошлина на SSD из Китая и 26-% — на продукцию из Южной Кореи.

Kioxia, производит NAND и SSD в Японии, при ввозе в США её продукты будут облагаться 24-% пошлиной. NAND-память SanDisk производится в Японии (совместно с Kioxia), но часть SSD выпускается на заводах в Китае, что подразумевает применение 54-% пошлины. Это означает, что SSD Kioxia, Samsung и SK hynix, могут оказаться дешевле, чем SSD Sandisk, а вот SSD Solidigm — нет.

Источник изображения: The New York Public Library / Unsplash

У HDD Seagate довольно сложная и интегрированная международная цепочка поставок, включающая Китай, Таиланд, Сингапур и Малайзию. Компания производит пластины для дисков и часть самих HDD (например, Exos) в Китае, а двигатели, узлы привода головок и жёсткие диски других серий — в Таиланде. Кроме того, пластины и некоторые другие диски собираются в Сингапуре и Малайзии. Новые пошлины будут применяться при импорте дисков в США и будут зависесть от страны происхождения. Столь резкое увеличение цен из-за пошлин может вызвать шок у клиентов, отметил ресурс Blocks & Files.

Western Digital собирает свои диски в Малайзии и Таиланде, и поэтому столкнётся с пошлинами в размере 24 % и 36 % соответственно. Жёсткие диски Toshiba производятся в Китае, на Филиппинах и в Японии, что подразумевает импортные пошлины США в размере 54, 18 и 24 % соответственно. Записываемые диски Blu-ray и DVD производятся в Китае, Индии, Японии и на Тайване — они точно так же будут облагаться пошлинами в зависимости от страны выпуска.

IBM производит ленточные накопители, проприетарные и LTO, в Тусоне (штат Аризона), поэтому её коснутся только пошлины на любые компоненты иностранного производства, которые она будет импортировать. Fujifilm производит LTO-накопители в Бедфорде (штат Массачусетс), а Sony — в Японии, что означает 24-процентную пошлину на ввоз в США. Fujifilm — в выигрыше от ввода пошлин, а Sony — наоборот.

Источник изображения: Evergreens & Dandelions / Unsplash

Контроллеры хранения данных и серверные процессоры в основном производятся Intel, некоторые — компанией AMD. У Intel есть фабрики в Орегоне (Хиллсборо), Аризоне (Чандлер) и Нью-Мексико (Рио-Ранчо). Сборочные, испытательные и упаковочные мощности для CPU имеются в Израиле, Малайзии, Вьетнаме, Китае и Коста-Рике. Часть продукции выпускается завод в графстве Килдэр (Ирландия). AMD во много зависит от тайваньских фабрик TSMC. Однако обе компании, а заодно и производители Arm-чипов, пошлины не затронут. Зато экспорт в Китай подпадёт под ответные 34-% пошлины.

Массивы хранения данных в основном производятся в США, где находятся все производства Dell, HPE и NetApp. А вот Hitachi Vantara производит свои хранилища в Японии, поэтому на них будет действовать 24-%. СХД Lenovo фактически являются OEM-массивами NetApp, поэтому она может избежать пошлин. СХД Infinidat выпускаются на производственных мощностях Arrow Electronics, которая имеет глобальную цепочку поставок с США в роли главного хаба. Где именно по факту производятся массивы, Infinidat не говорит.

Поставщики неамериканских СХД в США столкнутся с пошлинами в зависимости от страны их базирования. Чтобы избежать этого, компании могут инвестировать в американские подразделения, хотя для многих в нынешней ситуации это может быть не очень целесообразно. Третья группа поставщиков СХД — это американские компании, экспортирующие продукцию, например, в Китай, который в ответ повышает собственные пошлины на ввоз товаров из США — с 10 апреля она составит 34 %. Одним из победителей в этой торговой войне Blocks & Files назвал Huawei, которая не поставляет товары в США.

Компания Sandisk, по сообщению TechRadar, обнародовала информацию о памяти нового типа 3D Matrix Memory, которая, как ожидается, в перспективе станет более доступной альтернативой DRAM. Работы над 3D Matrix Memory ведутся с 2017 года в сотрудничестве со специалистами международного микро- и наноэлектронного научно-исследовательского центра IMEC в Лёвене (Бельгия).

3D Matrix Memory использует архитектуру плотного массива с ячейками памяти нового типа. Говорится о совместимости с открытыми отраслевыми стандартами, такими как CXL. По утверждениям Sandisk, разрабатываемая технология позволит преодолеть ограничения в плане ёмкости и пропускной способности, с которыми столкнулись другие типы памяти на фоне стремительного развития ИИ.

Источник изображений: Sandisk

Для 3D Matrix Memory заявлен высокий уровень масштабируемости. Предполагается, что в перспективе такая память обеспечит в четыре раза большую ёмкость по сравнению с DRAM при сопоставимой производительности и двукратном снижении стоимости. Sandisk утверждает, что характеристики памяти 3D Matrix Memory с течением времени будут улучшаться, повышая её экономическую эффективность.

Изделия 3D Matrix Memory первого поколения будут обладать ёмкостью 32–64 Гбит. Одним из первых покупателей памяти станет Министерство обороны США, которое намерено использовать её в аэрокосмическом секторе. О сроках начала массового производства пока ничего не сообщается.

Нужно отметить, что ранее Sandisk предложила технологию флеш-памяти с высокой пропускной способностью HBF (High Bandwidth Flash), которая может стать альтернативой HBM (High Bandwidth Memory) в ИИ-ускорителях при решении определённых задач, таких как инференс. По сравнению с HBM использование HBF позволит увеличить объём памяти ИИ-карт в 8 или даже 16 раз при сопоставимой цене. Кроме того, Sandisk проектирует SSD сверхвысокой вместимости для дата-центров: накопители на фирменной платформе UltraQLC смогут вмещать до 1 Пбайт информации.

Исследователи Лёвенского католического университета (Бельгия), Любекского университета (Германия) и Бирмингемского университета (Великобритания) обнаружили, что система защиты виртуальных машин от атак с использованием вредоносного гипервизора AMD SEV-SNP (Secure Nested Paging), не так безопасна, как утверждает разработчик, пишет The Register.

Технологии Secure Encrypted Virtualization (SEV) предоставляют доверенную среду исполнения (TEE), призванную обеспечить защиту виртуальных машин от незаконных попыток вмешательства со стороны тех, кто имеет доступ к оборудованию ЦОД. Механизм SEV-SNP реализован в процессорах AMD EPYC, начиная с 7003 (Milan). Аналогичные механизмы есть и у конкурентов: Intel Software Guard Extensions (SGX) и Trusted Domain Extensions (TDX), а также Arm Confidential Compute Architecture (CCA). Все эти технологии отвечают за шифрование памяти и изоляцию ресурсов.

Исследователи разработали способ обхода SEV-SNP, который они назвали BadRAM (CVE-2024-21944 и AMD-SB-3015). Для атаки требуется оборудование стоимостью около $10, включая Raspberry Pi Pico, разъём DDR и батарею на 9 В. Атака BadRAM требует наличие физического доступа к оборудованию. Она основана на манипуляциях с чипом SPD (Serial Presence Detect), который передаёт данные о модуле DDR4/DDR5 во время загрузки системы. Манипулируя SPD, злоумышленники создают адреса-фантомы для физической памяти, благодаря которым можно незаметно получить доступ к данным в виртуальной машине.

Источник изображения: badram.eu

«Мы удваиваем видимый в системе объём DIMM, чтобы обмануть контроллер памяти CPU и заставить его использовать дополнительные «фантомные» биты адресации, — объясняют авторы исследования. — Два разных физических адреса теперь ссылаются на одно и то же местоположение DRAM». С помощью таких фантомов злоумышленники могут обойти защиту памяти, раскрывая конфиденциальные данные или вызывя сбои. BadRAM позволяет подделать критически важные отчёты удалённой аттестации и вставлять необнаруживаемые бэкдоры в любую виртуальную машину, защищённую SEV-SNP.

Атака может быть реализована и без физического доступа к оборудованию, поскольку некоторые поставщики DRAM оставляют чип SPD разблокированным, что противоречит спецификациям JEDEC. Авторы исследования обнаружили по крайней мере два DDR4-модуля Corsair без должной защиты SPD. Память DDR3 тоже может быть взломана путём замены чипа SPD.

Источник изображения: badram.eu

«BadRAM полностью подрывает доверие к технологии защищённой зашифрованной виртуализации AMD (SEV-SNP), которая широко используется крупными поставщиками облачных услуг, включая Amazon AWS, Google Cloud и Microsoft Azure», — сообщил The Register Джо Ван Балк (Jo Van Bulck), профессор лаборатории DistriNet на кафедре компьютерных наук KU Leuven.

Исследователи отметили, что решения SGX и TDX Intel не имеют такой уязвимости, поскольку в них реализованы контрмеры против создания псевдонимов (alias) памяти. Arm CCA, судя по спецификации, тоже не имеет проблем, но для проверки этого у исследователей не было коммерческих чипов. Полный доклад об атаке исследователи планируют представить в мае 2025 года на конференции IEEE Symposium on Security and Privacy.

Источник изображения: AMD

Исследователи уведомили AMD о найденных проблемах в феврале 2024 года. «AMD рекомендует использовать модули памяти, которые блокируют SPD, а также следовать передовым практикам в области физической безопасности систем. AMD также выпустила обновления прошивок защиты от уязвимости», — сообщили в AMD ресурсу The Register в ответ на просьбу прокомментировать публикацию исследователей.

Компания Goodram Industrial, принадлежащая Wilk Elektronik SA, анонсировала SSD семейства M1000 Gen 2, обладающие повышенной надёжностью. Устройства ориентированы на применение в коммерческом и промышленном секторах: это могут быть встраиваемые решения, системы автоматизации, индустриальные компьютеры и пр.

Изделия выполнены в SFF-стандарте с применением чипов флеш-памяти BiCS5 3D TLC NAND. Для подключения служит интерфейс SATA-3. Заявленная скорость передачи данных составляет до 550 Мбайт/с при чтении и до 510 Мбайт/с при записи.

Источник изображения: Goodram Industrial

В серию M1000 Gen 2 входят модели вместимостью 128, 256 и 512 Гбайт, а также 1 Тбайт. Диапазон рабочих температур простирается от -40 до +85 °C. Каждый накопитель, как утверждается, проходит строгие испытания качества, включая тестирование в климатической камере, имитирующей сложные условия окружающей среды (перепады температуры, влажность).

Среди поддерживаемых технологий упомянуты средства Over-provisioning (резервируют некоторый объем SSD под нужды контроллера), инструмент управления питанием Low Power Management, функции контроля износа (Static and Dynamic Wear Leveling) и управление поврежденными блоками (Bad Block Management).

Компания Pure Storage, специализирующаяся на All-Flash СХД, считает, что дальнейшее увеличение вместимости SSD будет сопряжено с рядом трудностей, продиктованных необходимостью применения DRAM. Об этом, как сообщает ресурс Blocks & Files, рассказал Шон Роузмарин (Shawn Rosemarin), вице-президент Pure по исследованиям и разработкам.

По его словам, коммерческим SSD требуется примерно 1 Гбайт DRAM на каждый 1 Тбайт флеш-памяти. Наличие DRAM необходимо для подсистемы Flash Translation Layer (FTL). По словам Роузмарина, для накопителя ёмкостью 30 Тбайт требуется 30 Гбайт DRAM, для 75 Тбайт — 75 Гбайт и т. д. Таким образом, для SSD вместимостью, например, 128 Тбайт нужно 128 Гбайт DRAM, а это уже сопоставимо с объёмом ОЗУ в сервере.

Источник изображения: Pure Storage

Роузмарин отмечает, что увеличение вместимости корпоративных SSD свыше 30 Тбайт будет проблематично. Во-первых, DRAM заметно дороже NAND, что приведёт к значительному росту стоимости SSD. Во-вторых, из-за увеличения объёма DRAM возрастает энергопотребление, что не только поднимет стоимость владения, но и ухудшит надёжность накопителя. В результате по мере роста вместимости SSD заказчики могут столкнуться с серьёзным увеличением затрат.

Роузмарин заявляет, что единственный способ обойти указанные проблемы — найти более экономичную и менее энергозатратную альтернативу DRAM. Необходимые функции, по его словам, могут быть перенесены непосредственно на ПО СХД. Именно такой подход Pure реализует со своими проприетарными накопителями DFM (Direct Flash Module), последняя модификация которых имеет ёмкость 75 Тбайт. В этих устройствах отсутствует зависимость от DRAM на уровне накопителей.

Компания намерена выпустить DFM ёмкостью 150 Тбайт в 2025 году, а на 300 Тбайт — ориентировочно в 2026-м. В дальнейшие планы входит создание изделий вместимостью 600 Тбайт и 1,2 Пбайт. Аналогичного подхода придерживается и IBM в своих накопителях FlashCore Modules (FCM).