Компания Samsung Electronics объявила о разработке первых в отрасли чипов высокопроизводительной памяти HBM3E в виде 12-ярусных стеков общей ёмкостью 36 Гбайт. Изделия ориентированы на применение в системах ИИ с большой вычислительной нагрузкой.

Новые чипы Samsung HBM3E обеспечивают пропускную способность до 1280 Гбайт/с. По этому показателю, как утверждается, решения более чем на 50 % превосходят доступные на рынке 8-слойные стеки HBM3.

Источник изображения: Samsung

При изготовлении чипов Samsung применяет технологию термокомпрессии в комплексе с диэлектрической плёнкой. В результате, суммарная высота полученных 12-слойных изделий эквивалентна высоте 8-слойных. Samsung добилась наименьших в отрасли зазоров в стеке — всего 7 мкм, а также устранила пустоты между слоями. Это позволило поднять плотность вертикальной компоновки более чем на 20 % по сравнению с 8-слойными продуктами HBM3.

Кроме того, при производстве стеков Samsung использует между слоями памяти контактные выступы разного размера. Небольшие выступы служат для передачи сигналов, тогда как более крупные улучшают отвод тепла. Такой подход, по заявлениям Samsung, также способствует снижению доли брака.

В целом, как утверждается, внедрение 12-слойной памяти HBM3E по сравнению с 8-слойными изделиями даёт возможность увеличить скорость обучения ИИ-моделей на 34 %, тогда как количество одновременно обслуживаемых пользователей систем инференса может вырасти в 11,5 раз. Пробные поставки новых чипов уже начались, а массовое производство намечено на I половину 2024 года.

Нужно отметить, что буквально на днях компания Micron объявила о начале массового производства 8-слойной памяти HBM3E на 24 Гбайт с пропускной способностью более 1,2 Тбайт/с. Кроме того, Micron уже в марте начнёт распространять образцы 12-ярусных чипов HBM3E ёмкостью 36 Гбайт.

Компания Micron Technology объявила о начале массового производства передовой памяти HBM3E. Речь идёт об изделиях ёмкостью 24 Гбайт, предназначенных для ИИ-ускорителей NVIDIA H200, которые появятся на коммерческом рынке во II квартале нынешнего года.

Чипы Micron HBM3E выполнены в виде 8-ярусного стека. Заявленная скорость передачи данных превышает 9,2 Гбит/с на контакт, а общая пропускную способность сборки превосходит 1,2 Тбайт/с. Вместе с тем, как утверждается, изделия потребляют примерно на 30 % меньше энергии по сравнению с решениями конкурентов.

Источник изображения: Videocardz / Micron

Micron подчёркивает, что чипы HBM3E объёмом 24 Гбайт позволяют дата-центрам беспрепятственно масштабировать различные ИИ-нагрузки — от обучения сложных нейронных сетей до ускорения инференса. Изделия выполнены по технологии 1β (1-бета) — самому передовому техпроцессу компании. Кроме того, применены другие современные методики упаковки чипов, включая усовершенствованную технологию сквозных соединений TSV (Through-Silicon Via).

Micron также сообщила, что уже в марте нынешнего года начнёт распространять образцы 12-ярусных чипов HBM3E ёмкостью 36 Гбайт. Они, как и изделия на 24 Гбайт, обеспечат пропускную способность свыше 1,2 Тбайт/с при высокой энергетической эффективности.

Компания Apacer, сообщила о доступности, как утверждается, первых в мире модулей оперативной памяти стандарта DDR5, компоненты которых полностью не содержат свинца. Изделия превосходят требования действующей директивы защиты окружающей среды RoHS, принятой Европейским союзом.

Отмечается, что обычные модули ОЗУ, представленные на рынке, содержат свинец в своих резисторных элементах. Вместе с тем во всём миру принимаются всё более жёсткие экологические нормы, требующие в том числе отказа от применения этого тяжёлого металла.

Источник изображения: Apacer

Чтобы решить указанную проблему, компания Apacer после длительного периода исследований и разработок успешно создала полностью бессвинцовые модули памяти с резисторными компонентами нового типа. Эти решения в полной мере соответствуют стандартам RoHS без потери производительности.

В семействе представлены модули (ECC) UDIMM, (ECC) SO-DIMM и RDIMM стандарта DDR5-4800/5600. Напряжение питания во всех случаях равно 1,1 В; диапазон рабочих температур простирается от 0 до +85 °C. Изделия UDIMM и SO-DIMM доступны в вариантах ёмкостью 8, 16 и 32 Гбайт, а ECC UDIMM и ECC SO-DIMM — 16 и 32 Гбайт. В случае RDIMM объём варьируется от 16 до 128 Гбайт. В качестве сфер применения модулей названы оборона, автоматизация производства, здравоохранение, Интернет вещей, серверы, сетевое оборудование и пр.

Компания Samsung Electronics в партнёрстве с Red Hat впервые в отрасли успешно проверила работу памяти Compute Express Link (CXL) в реальной пользовательской среде. Это открывает путь для внедрения CXL в существующих дата-центрах для выполнения ресурсоёмких задач, таких как генеративный ИИ, средства автономного вождения и in-memory базы данных.

Интерконнект CXL, основанный на интерфейсе PCIe, обеспечивает высокоскоростную передачу данных с малой задержкой между хост-процессором и между такими устройствами, как серверные ускорители, буферы памяти и интеллектуальные IO-блоки. Технология позволяет повысить эффективность серверных платформ при одновременном снижении эксплуатационных расходов.

Источник изображения: Samsung

В рамках сотрудничества с Red Hat компания Samsung оптимизировала работу своей памяти CXL на платформе Red Hat Enterprise Linux (RHEL) 9.3. Специалисты проверили распознавание памяти, а также опробовали операции чтения и записи в средах Red Hat KVM и Podman. Полученные результаты говорят о том, что клиенты могут использовать память Samsung CXL в своих ЦОД без необходимости внесения дополнительных изменений в существующее оборудование.

Это, как утверждается, важная веха в интеграции аппаратного и программного обеспечения для создания открытой экосистемы с целью внедрения высокоскоростной памяти следующего поколения. Компании Samsung и Red Hat приступили к разработке руководства RHEL 9.3 CXL Memory Enabling Guide, которое поможет заказчикам в создании вычислительных систем с памятью CXL.

Отмечается, что Samsung сотрудничает с дата-центрами и поставщиками облачных услуг по всему миру, чтобы лучше удовлетворять их потребность в высокоскоростной памяти большой ёмкости. Меморандум о взаимопонимании (MOU) с Red Hat компания Samsung подписала в мае 2022 года. Партнёрство охватывает широкий спектр решений, включая NVMe-накопители и собственно память CXL.

Компания Rambus анонсировала первый в отрасли чип RCD (Registering Clock Driver) четвёртого поколения, предназначенный для создания высокопроизводительных модулей регистровой оперативной памяти DDR5 (RDIMM) для серверов. RCD действует как буфер между компонентами DRAM и контроллером памяти, что позволяет использовать в одном модуле больше компонентов DRAM для достижения более высокой ёмкости. Образцы новинки уже поставляются производителям ОЗУ.

Источник изображения: Rambus

Новый чип Rambus RCD позволяет выпускать серверные модули DDR5 RDIMM со скоростью передачи данных до 7200 МТ/с. Прирост производительности, как отмечается, составляет 50 % по сравнению с современными изделиями DDR5-4800. Повышение пропускной способности ОЗУ, по заявлениям Rambus, необходимо для эффективного решения задач в области генеративного ИИ, стремительно набирающего популярность. Кроме того, модули DDR5-7200 помогут ускорить выполнение рабочих нагрузок в дата-центрах.

Компания Micron Technology анонсировала модули оперативной памяти DDR5-8000 RDIMM ёмкостью 128 Гбайт для дата-центров и облачных платформ. Изделия рассчитаны на использование в системах с высокими вычислительными нагрузками: это могут быть ресурсоёмкие приложения ИИ, резидентные базы данных и пр.

Модули выполнены на основе монолитных чипов на 32 Гбит по технологии 1β (1-бета) — самому передовому технологическому процессу производителя. Применяется инновационная архитектура кристалла, обеспечивающая максимальную эффективность массива, а также самую высокую плотность DRAM.

Источник изображения: Micron

Задействованная технология, как утверждается, обеспечивает ряд преимуществ перед конкурирующей 3DS TSV (through-silicon via). Заявлено повышение битовой плотности более чем на 45 %, увеличение энергоэффективности до 24 %, снижение задержек до 16 % и повышение эффективности обучения ИИ до 28 %.

Реализована функция управления напряжением питания, которая помогает оптимизировать энергопотребление. Номинальное напряжение VDD, VDDQ и VPP равно соответственно 1,1 В, 1,1 В и 1,8 В. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +95 °C.

В 2024 году компания Micron намерена организовать поставки модулей DDR5 RDIMM на 128 Гбайт с частотой 4800, 5600 и 6400 МГц, а позднее появятся изделия с частотой до 8000 МГц.

Компания Everspin Technologies, разработчик магниторезистивной памяти с произвольным доступом (MRAM), анонсировала новые чипы STT-MRAM высокой плотности семейства EMxxLX. Изделия рассчитаны на применение в устройствах промышленного Интернета вещей, системах автоматизации, медицинских приборах, авиационном оборудовании и пр.

Утверждается, что EMxxLX — это наиболее высокопроизводительная энергонезависимая память, доступная в настоящее время на коммерческом рынке. Задействована технология STT-MRAM, то есть запись данных с помощью переноса спинового момента.

Источник изображения: Everspin

Память Everspin использует последовательный интерфейс xSPI. Заявленная скорость передачи информации в режимах чтения и записи достигает 400 Мбайт/с через восемь IO-линий с тактовой частотой 200 МГц. Плотность анонсированных изделий варьируется от 4 до 64 Мбит. Использована корпусировка DFN размером 5 × 6 мм, которая обеспечивает экономию площади на 37 % по сравнению с существующими решениями. Диапазон рабочих температур простирается от -40 до +105 °C.

Разработчик заявляет, что решения EMxxLX могут стать альтернативой SRAM, BBSRAM, FRAM, NVSRAM и NOR. В настоящее время поставляются образцы EMxxLX ёмкостью 4 Мбит.

Компания Samsung Electronics в ходе ежегодного мероприятия Memory Tech Day сообщила о начале поставок образцов микросхем памяти HBM3E нового поколения с кодовым названием Shinebolt. Утверждается, что изделия Shinebolt обеспечивают прирост производительности примерно на 50 % по сравнению с чипами HBM3E предыдущего поколения (Icebolt). Пропускная способность в расчёте на контакт достигает 9,8 Гбит/с против 6,4 Гбит/с у Icebolt.

Источник изображения: Samsung

Таким образом, общая пропускная способность микросхем Shinebolt составляет до 1,228 Тбайт/с. Это позволяет использовать память в высоконагруженных системах, обрабатывающих приложения генеративного ИИ и машинного обучения. С целью повышения плотности компоновки и улучшения тепловых характеристик Samsung оптимизировала свою технологию непроводящей пленки (NCF): это позволило минимизировать зазоры между слоями чипа и максимизировать теплопроводность. Samsung планирует производить 12-ярусные чипы Shinebolt с максимальной ёмкостью 36 Гбайт.

Среди других продуктов, представленных компанией Samsung на мероприятии Memory Tech Day, — 32-гигабитные чипы DDR5 DRAM, первая в отрасли память GDDR7 с пропускной способностью 32 Гбит/с и архитектура PBSSD для создания решений «петабайтного класса».

Компания TeamGroup анонсировала модули оперативной памяти DDR5 VLP ECC U-DIMM, предназначенные для использования в дата-центрах. Особенностью изделий является низкопрофильное исполнение, благодаря чему они могут устанавливаться в устройства с ограниченным пространством внутри корпуса, например, в blade-серверы.

Модули доступны в модификациях DDR5-4800 и DDR5-5600. Ёмкость варьируется от 16 до 48 Гбайт. Высота изделий DDR5 VLP ECC U-DIMM составляет только 18,7 мм.

Источник изображения: TeamGroup

Применяя запатентованную технологию тестирования микросхем, TeamGroup отбирает наиболее качественные чипы, чтобы обеспечить стабильность и надёжность, а также минимизировать количество сбоев. Предусмотрены варианты со стандартным и расширенным диапазоном рабочих температур: во втором случае он простирается от -40 до +85 °C. Защита от серы и специальное покрытие позволяют эксплуатировать модули в неблагоприятных условиях.

Компания TeamGroup отмечает, что продолжает активно заниматься исследованиями и разработками в области памяти DDR5, тесно сотрудничая с участниками рынка. Это гарантирует совместимость с различными аппаратными платформами, включая решения промышленного класса, сообщается в пресс-релизе.

Компания Everspin Technologies, разработчик магниторезистивной памяти с произвольным доступом (MRAM), обнародовала показатели деятельности во II четверти 2023 года, которая была закрыта 30 июня. Общая выручка составила $15,7 млн, что на 7 % большее прошлогоднего результата, равного $14,7 млн.

Продажи MRAM-продуктов, включая Toggle MRAM и STT-MRAM, за трёхмесячный период оказались на уровне $13,4 млн. Это незначительно больше результата годичной давности, когда соответствующие изделия принесли $13,2 млн.

Источник изображения: Everspin

Денежные поступления от лицензирования, выплаты роялти и других направлений деятельности составили около $2,3 млн, тогда как во II квартале 2022 года этот показатель был зафиксирован на отметке около $1,5 млн.

Чистая квартальная прибыль, рассчитанная в соответствии с общепризнанными принципами бухгалтерского учёта (GAAP), достигла $3,9 млн, или приблизительно $0,19 в пересчёте на одну ценную бумагу. Для сравнения: годом ранее эти показатели равнялись соответственно $1,7 млн и $0,08. Таким образом, Everspin увеличила чистую прибыль более чем в два раза. В целом, компания сохраняет прибыльность девять кварталов подряд, что говорит об устойчивости бизнеса.

В текущем квартале Everspin рассчитывает показать выручку от $15,4 млн до $16,4 млн. Чистая прибыль, как ожидается, будет лежать в диапазоне от $0,01 до $0,06 на одну ценную бумагу.