Несмотря на тотальное торжество 3D-подхода в сфере NAND, классическая DRAM продолжает использовать лишь планарные структуры, что мешает и росту объёмов, и снижению удельной стоимости хранения оперативной памяти. Однако NEO Semiconductor обещает положить конец «плоскостной эпохе» с помощью анонсированной на днях технологии 3D X-DRAM.
Источник изображений здесь и далее: NEO Semiconductor
Компания известна своими наработками в области энергонезависимой памяти: разработанная ей технология X-NAND позволяет обойти недостатки, свойственные TLC и QLC — относительно невысокий ресурс и низкую скорость записи. Правда, массового продукта на базе данного решения до сих пор нет. А вот при создании 3D X-DRAM главное внимание было уделено повышению объёмов. Разработчики обещают, что данная технология позволит создать 230-слойные микросхемы объёмом 128 Гбит, что в 8 раз больше, чем у традиционных DRAM-чипов.
Структурно 3D X-DRAM напоминает 3D NAND и базируется на технологии беcконденсаторных ячеек памяти FBC (floating body cell), при которой для хранения заряда достаточно одного транзистора. Она достаточно проста с точки зрения технологического процесса и требует лишь одной маски для формирования вертикальной структуры. Сходство с 3D NAND, позволяющее задействовать уже освоенные технологические процессы, обеспечивает сниженную стоимость и высокую скорость внедрения 3D X-DRAM в сравнении с вариантами 3D DRAM, предлагаемыми другими разработчиками.
Первое поколение чипов DRAM нового типа может увидеть свет уже в районе 2025 года, причём компания-разработчик обещает и быстрые темпы масштабирования: стартовав с отметки 128 Гбит, к 2035 году ёмкость чипа 3D X-DRAM может достигнуть 1 Тбит. В настоящее время технология уже запатентована, а сама NEO Semiconductor планирует начать поиски лицензионных производителей, в числе которых ожидаются крупные поставщики DRAM- и NAND-решений, включая Micron, Samsung, SK Hynix, а также Kioxia с Western Digital.
Источник:
