Крупный контрактный производитель микроэлектроники, компания GlobalFoundries объявила о приобретении у Renesas Electronics технологии энергонезависимой памяти CBRAM. Эта разновидность резистивной памяти характеризуется низким уровнем энергопотребления и устойчивостью к износу, что делает её отличным выбором для мобильных устройств, 5G-инфраструктуры и индустриальной IoT-электроники. В настоящее время технология CBRAM проходит обкатку на технологической платформе GloFo 22FDX, затем компания планирует освоить этот тип памяти и для других техпроцессов.
Исторически CBRAM ведёт свой род от технологии программируемых ячеек PMC, разработанных в начале 2010-х годов компанией Axon. Первые 130-нм варианты CBRAM, показанные Adesto Technologies в 2011 году, продемонстрировали время записи 10 мкс при напряжении 1,6 В и токе всего 60 мкА. Ранее в 2020 году GlobalFoundries уже лицензировала эту технологию у Dialog Semiconductor, но впоследствии последняя была куплена именно Renesas Electronics. В основе данного типа памяти лежит обратимое образование токопроводящих «нитей» в толще специального диэлектрика. Аналогичную резистивную память на основе 22-нм техпроцесса FD-SOI не так давно продемонстрировала Weebit Nano.
Различные типы резистивной памяти. Источник изображений здесь и далее: Renesas Electronics
Архитектура и принцип действия CBRAM
Рынок альтернативных типов энергонезависимой памяти оценивается аналитиками достаточно перспективно — к 2031 году его объём может достигнуть $44 млрд. Со смертью Intel Optane вполне логично, что крупные производители микросхем стремятся заполучить в свои руки соответствующие технологии. В числе достоинств CBRAM, помимо достаточно высоких скоростей и устойчивости к неблагоприятному окружению числится и относительно невысокая стоимость производства, поэтому выбор GlobalFoundries вполне оправдан.
Источник:
