Компания Pure Storage, специализирующаяся в области создания All-Flash СХД, анонсировала на мероприятии Accelerate 2023 обновление массивов FlashArray//E, //X и //C, а также представила фирменные флеш-модули объёмом 75 Тбайт (QLC + NVRAM) и 36 Тбайт (TLC + NVRAM).

Решения Pure Storage состоят из трёх ключевых компонентов — контроллеров, шасси и модулей DirectFlash (DFM). Последние являются специализированными SSD, совместимыми только с системами Pure Storage. Столь глубокая интеграция способствует снижению числа проблем, связанных с независимыми поставщиками SSD, а также способствует повышению энергоэффективности.

Компания приводит любопытные сравнительные данные: так, 1 Пбайт требует для около 500 Вт при использовании HDD ёмкостью 20 Тбайт, а для обычных TLC SSD эта цифра стартует с отметки 726 Вт. Однако технологии, используемые в модулях DFM, позволяют существенно понизить этот показатель — до 300-400 Вт в предыдущих моделях и до 210 Вт в новых, ёмкостью 75 Тбайт.

Узлы FlashArray//E, //X и //C (слева направо). Здесь и далее источник: Pure Storage

Компания не собирается останавливаться на достигнутом и уже располагает тестовой версией модуля ёмкостью 150 Тбайт, которая должна увидеть свет уже в следующем году, а в 2026 году компания намеревается достигнуть отметки 300 Тбайт. Новые модули имеют интерфейс PCIe 4.0, однако поддержка этого стандарта есть не во всех шасси компании. Похоже, Pure Storage хочет в следующем большом обновлении платформ перейти уже на использование PCIe 5.0.

Pure Storage всерьёз атакует рынок систем хранения данных на базе HDD или HDD-SSD. Новым оружием стали массивы FlashArray//E, которые производитель описывает как компактные и сравнительно небольшие решения ёмкостью от 1 до 4 Пбайт. Стоимость хранения при условии трехгодичного контракта составляет всего $0,20/Гбайт. Также Pure Storage упирает на более высокую надёжность DFM — как в сравнении с HDD, так и с обычными SSD. Правда, поддержки S3-доступа нет.

Обновления получили контроллеры FlashArray//X и FlashArray//C R4. Четвёртая версия подразумевает использование новейших процессоров Intel Xeon Sapphire Rapids. По сравнению с предыдущим вариантом R3 контроллеры серии R4 обеспечивают на 40–48 % более высокую производительность на Вт, и к тому же, в пересчёте на занимаемое в стойке пространство на 1 Тбайт ёмкости новинки стали компактнее на 51 % и 36 % соответственно.

Новинки поддерживаютускорители DirectCompress Accelerator для сжатия данных на лету. Теперь они будут устанавливаться не только в FlashArray//XL, но и в достаточно крупные модели FlashArray//X и //C (//X90, //X70, //C90, //C70). Благодаря поддержке PCIe 4.0 на полной скорости заработали интерфейсы FC64 и 100GbE, естественно, с поддержкой NVMe-over-TCP/FC и RoCE. Таже появилась защита Auto-on SafeMode и новый вариант SLA.

Компания DataDirect Networks (DDN), специализирующаяся на платформах хранения данных для высокопроизводительных вычислений (НРС), анонсировала массив AI400X2 QLC, подходящий для ЦОД любого масштаба. Новинка спроектирована с прицелом на нагрузки, связанные с ИИ.

Представленная платформа совмещает параллельную файловую систему DDN с новым алгоритмом сжатием данных на стороне клиента. Утверждается, что по сравнению с альтернативными решениями достигается увеличение производительности до 10 раз, а эффективной ёмкости — до 15 раз. При этом площадь залов для размещения оборудования в ЦОД может быть уменьшена вдвое.

Источник изображений: DDN

Система A1400X2 QLC использует стандартный контроллер A1400X2 в шасси 2RU. Предоставляется 732 Тбайт пространства на накопителях TLC SSD. Могут быть добавлены два, четыре или пять модулей расширения SP2420 QLC SSD. Максимальная эффективная вместимость QLC-платформы в полностью сконфигурированном виде составляет 11,7 Пбайт. В случае гибридной архитектуры могут также применяться традиционные HDD.

Платформа обеспечивает показатель IOPS до 3 500 000. Заявленная скорость передачи информации в режиме последовательно чтения достигает 90 Гбайт/с, в режиме последовательной записи — 65 Гбайт/с. DDN намерена начать поставки решений на базе накопителей QLC NAND в третьем квартале 2023 года.

Компания Micron Technology анонсировала SSD семейств 6500 ION и XTR, предназначенные для применения в ЦОД. Изделия используют для обмена данными интерфейс PCIe 4.0 x4 (спецификация NVMe 2.0), благодаря чему достигаются высокие скоростные показатели. При этом решения серии XTR отличаются улучшенной долговечностью.

Накопители Micron 6500 ION выполнены на основе чипов памяти TLC NAND (Micron 232L Performance TLC). Разработчик утверждает, что по стоимости эти устройства сравнимы с SSD на базе QLC NAND. Вместимость составляет 30,72 Тбайт. Таким образом, операторы дата-центров получат эффективное решение для построения массивов хранения большой ёмкости.

Заявленная скорость последовательного чтения данных достигает 6,8 Гбайт/с, скорость последовательной записи — 5,0 Гбайт/с. Показатель IOPS при произвольных чтении и записи информации блоками по 4 Кбайт — до 1 млн и 200 тыс. соответственно. Накопители могут выдерживать до одной полной перезаписи в сутки (показатель DWPD). Предусмотрены два варианта исполнения: SFF U.3 толщиной 15 мм и E1.L толщиной 9,5 мм.

Источник изображений: Micron

Решения Micron XTR, в свою очередь, используют чипы памяти Micron 176L SLC. SSD доступны в формате SFF U.3 толщиной 15 мм. Вместимость составляет 960 Гбайт и 1,92 Тбайт. Скорость последовательного чтения в обоих случаях достигает 6,8 Гбайт/с, скорость последовательной записи — 5,3 и 5,6 Гбайт/с соответственно. Величина IOPS при чтении — до 900 тыс., при записи — до 250 тыс. и 350 тыс. Эти накопители обеспечивают высочайшую надёжность: значение DWPD равно 60 при последовательной записи и 35 при произвольной записи.

Компания Kingston Digital, подразделение Kingston Technology, анонсировала SSD корпоративного класса DC600M. Устройства спроектированы специально для дата-центров и рассчитаны на смешанные нагрузки. В основу положены микрочипы флеш-памяти 3D TLC NAND.

Накопители выполнены в SFF-формате, а для подключения служит интерфейс SATA-3. Габариты составляют 69,9 × 100 × 7 мм, вес — 92,34 г. Диапазон рабочих температур — от 0 до +70 °C. Поддерживается шифрование по алгоритму AES с ключом длиной 256 бит. Заявленный показатель MTBF (средняя наработка на отказ) достигает 2 млн часов. UBER: ≤10^-17.

Источник изображения: Kingston Digital

В семейство DC600M вошли модели вместимостью 480 и 960 Гбайт, а также 1,92, 3,84 и 7,68 Тбайт. Скорость последовательного чтения информации, согласно техническим характеристикам, у всех версий составляет до 560 Мбайт/с. Скорость последовательной записи — до 470 Мбайт/с у младшей модификации и до 530 Мбайт/с у всех других. Величина IOPS при произвольном чтении данных блоками по 4 Кбайт у всех решений достигает 94 000. При произвольной записи значение IOPS варьируется от 34 000 до 78 000.

Накопители способны выдерживать до 1 полной перезаписи в сутки (1 DWPD) на протяжении пяти лет или до 1,66 перезаписи на протяжении трёх лет. Среднее энергопотребление составляет 1,45 Вт, максимальное — 3,6 Вт. Диапазон рабочих температур: от 0 до +70 °C. Гарантия производителя — пять лет.

Несмотря на тотальное торжество 3D-подхода в сфере NAND, классическая DRAM продолжает использовать лишь планарные структуры, что мешает и росту объёмов, и снижению удельной стоимости хранения оперативной памяти. Однако NEO Semiconductor обещает положить конец «плоскостной эпохе» с помощью анонсированной на днях технологии 3D X-DRAM.

Источник изображений здесь и далее: NEO Semiconductor

Компания известна своими наработками в области энергонезависимой памяти: разработанная ей технология X-NAND позволяет обойти недостатки, свойственные TLC и QLC — относительно невысокий ресурс и низкую скорость записи. Правда, массового продукта на базе данного решения до сих пор нет. А вот при создании 3D X-DRAM главное внимание было уделено повышению объёмов. Разработчики обещают, что данная технология позволит создать 230-слойные микросхемы объёмом 128 Гбит, что в 8 раз больше, чем у традиционных DRAM-чипов.

Структурно 3D X-DRAM напоминает 3D NAND и базируется на технологии беcконденсаторных ячеек памяти FBC (floating body cell), при которой для хранения заряда достаточно одного транзистора. Она достаточно проста с точки зрения технологического процесса и требует лишь одной маски для формирования вертикальной структуры. Сходство с 3D NAND, позволяющее задействовать уже освоенные технологические процессы, обеспечивает сниженную стоимость и высокую скорость внедрения 3D X-DRAM в сравнении с вариантами 3D DRAM, предлагаемыми другими разработчиками.

Первое поколение чипов DRAM нового типа может увидеть свет уже в районе 2025 года, причём компания-разработчик обещает и быстрые темпы масштабирования: стартовав с отметки 128 Гбит, к 2035 году ёмкость чипа 3D X-DRAM может достигнуть 1 Тбит. В настоящее время технология уже запатентована, а сама NEO Semiconductor планирует начать поиски лицензионных производителей, в числе которых ожидаются крупные поставщики DRAM- и NAND-решений, включая Micron, Samsung, SK Hynix, а также Kioxia с Western Digital.

Компания SMART Modular анонсировала SSD повышенной надёжности семейства T6CN. Решения ориентированы на телекоммуникационный, оборонный, промышленный и аэрокосмический секторы. Кроме того, устройства могут применяться в составе коммерческих платформ видеонаблюдения.

В серию вошли модификации в форматах M.2 2280, E1.S и U.2. Все они выполнены с применением чипов флеш-памяти 3D TLC NAND, а для обмена данными служит интерфейс PCIe 4.0 x4 (спецификация NVMe 1.4). Поддерживается шифрование данных по алгоритму AES-256. Диапазон рабочих температур простирается от -40 до +85 °C.

Изделия T6CN M.2 2280 имеют вместимость 960 Гбайт, а также 1,92 и 3,84 Тбайт. Скорость последовательного чтения информации достигает 7680 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 2600 Мбайт/с. Значение IOPS при произвольном чтении и записи данных по 4 Кбайт — до 600 000 и 450 000 соответственно. Габариты — 80 × 24 мм.

Накопители T6CN EDSFF E1.S, в свою очередь, представлены в вариантах ёмкостью 960 Гбайт, 1,92, 3,84 и 7,68 Тбайт. У них максимальная заявленная скорость последовательного чтения и записи данных одинакова — 3200 Мбайт/с. Величина IOPS при произвольном чтении составляет до 320 000, при произвольной записи — до 300 000. Размеры равны 111,49 × 3,15 × 5,9 мм.

Устройства T6CN U.2 обладают вместимостью 960 Гбайт, а также 1,92, 3,84, 7,68 и 15,36 Тбайт. Скорость последовательного чтения — до 3840 Мбайт/с, последовательной записи — до 2600 Мбайт/с. Показатель IOPS при произвольном чтении и записи — до 600 000 и 450 000 соответственно. Габариты составляют 100 × 69,85 × 7 мм. Величина MTBF у всех новинок превышает 2 млн часов.

По мере внедрения новых версий PCI Express растут и линейные скорости SSD. Не столь давно 3-4 Гбайт/с было рекордно высоким показателем, но разработчики уже штурмуют вершины за пределами 10 Гбайт/с. Компания Kioxia, крупный производитель флеш-памяти и устройств на её основе, объявила на конференции 2023 China Flash Market о новом поколении серверных накопителей, способных читать данные со скоростью 13,5 Гбайт/с.

Новые высокоскоростные SSD будут построены на базе технологии XL-FLASH второго поколения. Первое поколение этих чипов компания (тогда Toshiba) представила ещё в 2019 году. В основе лежат наработки по BiCS 3D в однобитовом варианте, что позволяет устройствам на базе этой памяти занимать нишу Storage Class Memory (SCM) и служить заменой ушедшей с рынка технологии Intel Optane.

Источник здесь и далее: Twitter@9550pro

Как уже сообщалось ранее, XL-FLASH второго поколения использует двухбитовый режим MLC, но в любом случае новые SSD Kioxia в полной мере раскроют потенциал PCI Express 5.0. Они не только смогут читать данные на скорости 13,5 Гбайт/с и записывать их на скорости 9,7 Гбайт/с, но и обеспечат высокую производительность на случайных операциях: до 3 млн IOPS при чтении и 1,06 млн IOPS при записи. Время отклика для операций чтения заявлено на уровне 27 мкс, против 29 мкс у XL-FLASH первого поколения.

Kioxia полагает, что PCI Express 5.0 и CXL 1.x станут стандартами для серверных флеш-платформ класса SCM надолго — господство этих интерфейсов продлится минимум до конца 2025 года, лишь в 2026 году следует ожидать появления первых решений с поддержкой PCI Express 6.0. Активный переход на более новую версию CXL ожидается в течение 2025 года. Пока неизвестно, как планирует ответить на активность Kioxia другой крупный производитель флеш-памяти, Samsung Electronics, которая также располагает высокопроизводительной разновидностью NAND под названием Z-NAND.

Компания Exascend анонсировала SSD серий PE3 и PI3, рассчитанные на использование в сферах транспорта, телекоммуникаций, периферийных вычислений, а также в системах хранения корпоративного уровня. Изделия выполнены на основе флеш-памяти 3D TLC, а для обмена данными служит интерфейс PCIe 3.0 (NVMe 1.2).

Семейство PE3 включает модели Streaming, Pro и Max в форматах U.2 и М.2 2280, а также Boot стандарта М.2 2280. Все они рассчитаны на работу при температуре от 0 до +40 °C. Показатель MTBF достигает 2 млн часов; гарантия производителя — пять лет.

Изделия Streaming имеют вместимость от 240 Гбайт до 15,36 Тбайт. Заявленная скорость последовательного чтения и записи информации достигает 3500 Мбайт/с. Показатель IOPS (количество операций ввода/вывода в секунду) — до 700 000 при произвольном чтении и до 95 000 при произвольной записи. Величина DWPD (полных перезаписей в сутки) равна 0,6.

Источник изображения: Exascend

Накопители Pro и Max имеют ёмкость соответственно от 480 Гбайт до 3,84 Тбайт и от 480 Гбайт до 1,92 Тбайт. В первом случае значение DWPD составляет 1,5, во втором — 5. Скорость последовательного чтения у всех устройств достигает 3100 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 1600 Мбайт/с. Показатель IOPS — до 700 000 при произвольном чтении и до 65 000 при произвольной записи.

Решения Boot имеют вместимость 240–960 Гбайт и величину DWPD, равную 1. Скорость чтения и записи — до 3200 Мбайт/с и 2000 Мбайт/с. Показатель IOPS составляет до 700 000 при произвольном чтении и до 30 000 при произвольной записи.

Накопители серии PI3, в свою очередь, обладают расширенным диапазоном рабочих температур — от -40 до +85 °C. Они представлены в версиях ёмкостью от 240 Гбайт до 7,68 Тбайт. Скорость последовательного чтения и записи достигает 3500 Мбайт/с. Показатель IOPS — до 310 000 при произвольном чтении и до 245 000 при произвольной записи. Показатель MTBF равен 2 млн часов; гарантия — три года.

Известный производитель систем хранения данных, компания NetApp, анонсировала новую серию доступных флеш-хранилищ AFF C-Series, а также новое решение начального уровня AFF A150.

AFF C-Series целиком базируется на использовании QLC SSD, что позволяет говорить о достаточно невысокой для решений подобного класса стоимости. Однако технически это весьма серьёзные СХД, могущие предложить заказчику от 35 до 106 Пбайт эффективной ёмкости. Младшая модель, AFF C250, использует 2U-контроллер c 24 слотами под SSD и 4 слотами расширения PCIe.

C400 и C800 базируются на 4U-контроллерах, причём у C800 шасси включает 48 отсеков для SSD. Все три модели масштабируются в пределах от 2 до 24 узлов, максимальное же количество накопителей в системе составляет 576, 1152 и 1728 для C250, C400 и C800 соответственно. В качестве интерфейсов поддерживается как FC32, так и различные варианты Ethernet. При этом даже младшая модель имеет 4 порта 100GbE.

Источник изображений здесь и далее: NetApp

Новые массивы работают под управлением NetApp ONTAP 9 и поддерживают протоколы NVMe/FC, NVMe/TCP, FibreChannel, iSCSI, NFS, pNFS, CIFS/SMB и S3. При необходимости дисковое пространство можно расширить с помощью полок NS224 (2U, 24 отсека для NVMe SSD). В качестве хост-систем могут выступать ОС Windows Server 2012/2016, Linux, Oracle Solaris, AIX, HP-UX, macOS, VMware ESXi.

Технические характеристики AFF C-Series. По клику открывается полноразмерное изображение

Несколько особняком стоит AFF A150: это решение начального уровня для региональных офисов. Как и решения серии C, оно поддерживает как NVMe/FC, так и NVMe/TCP. Система также может расширяться до 864 накопителей с эффективным общим объёмом 26 Пбайт, но дисковые полки здесь используются другие — DS224C (24 отсека 2,5″ SFF); также имеется поддержка SAS-3.

Решения NetApp на базе флеш-памяти компактнее гибридных массивов, потребляют меньше энергии и обходятся дешевле

Одновременно с выпуском новых флеш-хранилищ NetApp представила и новые программы сопровождения своих продуктов — NetApp Advance и Storage Lifecycle Program. В рамках Storage Lifecycle Program возможно обновление контроллеров каждые 3, 4 или 5 лет, а также замена устаревших накопителей без доплаты за тот же объём данных. Также NetApp предоставляет гарантию 4:1 SAN Storage Efficiency. Если заявленная эффективность хранения данных не достигается, то NetApp исправит это всеми необходимыми средствами без необходимости дополнительной оплаты со стороны заказчика.

Компания Memblaze анонсировала SSD серий PBlaze6 6930 и PBlaze6 6936 для дата-центров. Изделия выполнены в форм-факторе U.3, а для обмена данными применяется интерфейс PCIe 4.0 x4 (спецификация NVMe 1.4). В основу положены микрочипы флеш-памяти 3D eTLC NAND.

Семейство PBlaze6 6930 включает модели вместимостью 7,68; 15,36 и 30,72 Тбайт. У младшей скорость последовательного чтения составляет до 7,0 Гбайт/с, у двух других — до 7,1 Гбайт/с. Скорость последовательной записи во всех случаях — до 7,0 Гбайт/с. Показатель IOPS при чтении равен соответственно 1 600 000, 1 600 000 и 1 500 000, при записи — 340 000, 420 000 и 360 000. Накопители рассчитаны на 1,5 полных перезаписи в сутки (DWPD) на протяжении пяти лет.

Источник изображения: Memblaze

Изделия PBlaze6 6936 доступны в модификациях на 6,4; 12,8 и 25,6 Тбайт. Скоростные характеристики и величина IOPS при чтении аналогичны решениям PBlaze6 6930. Что касается значения IOPS при записи, то оно достигает соответственно 660 000, 680 000 и 650 000. Показатель DWPD — 3,3 на протяжении пяти лет.

Все накопители поддерживают шифрование AES-256 и функцию безопасного уничтожения данных Crypto Erase. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +70 °C. Средняя наработка на отказ (MTBF) заявлена на уровне 2 млн часов. Энергопотребление не превышает 25 Вт. Более подробную информацию о новинках можно найти на этой странице.