Компания ADATA Industrial анонсировала модули оперативной памяти промышленного класса DDR5-6400 стандартов CU-DIMM (Clocked Unbuffered DIMM) и CSO-DIMM (Clocked Small Outline DIMM). Изделия рассчитаны на эксплуатацию в суровых условиях. Они могут применяться в оборудовании для дата-центров, в ИИ-устройствах для периферийных вычислений, транспортных системах, IoT-приборах и пр.

Модули функционируют при напряжении 1,1 В. Вне зависимости от форм-фактора доступны варианты ёмкостью 8, 16 и 32 Гбайт. Говорится о поддержке ECC. ADATA предлагает модификации со стандартным и расширенным температурным диапазоном: в первом случае он простирается от 0 до +95 °C, во втором — от -40 до +95 °C.

Источник изображения: ADATA Industrial

Реализована технология TVS (Transient Voltage Suppressor), обеспечивающая защиту от перепадов напряжения. Специальное конформное покрытие помогает минимизировать негативное влияние факторов окружающей среды: повышенных температур, влаги, загрязнений, химических веществ и механических воздействий.

По желанию заказчика может быть добавлена защита от сульфирования. Отмечается, что в среде с высокой концентрацией серы при определённых условиях (высоких температурах, влажности и загрязнениях) могут образовываться различные виды соединений серы, которые воздействуют на серебряные сплавы в DRAM-чипах. Это может приводить к выводу модулей из строя. Для решения проблемы ADATA предлагает соответствующую защиту.

Компания Apacer Technology объявила о начале массового производства модулей оперативной памяти DDR5-6400 индустриального класса, спроектированных специально для задач ИИ и НРС. Изделия могут применяться в системах автоматизации, медицинском оборудовании, IoT-устройствах, интеллектуальных автомобильных платформах и пр.

Представлены решения DDR5-6400 стандартов CU-DIMM (Clocked Unbuffered DIMM) и CSO-DIMM (Clocked Small Outline DIMM). Они функционируют при напряжении 1,1 В. Ёмкость модулей составляет 8, 16, 32 и 64 Гбайт.

Источник изображения: Apacer

По заявлениям Apacer Technology, в конструкции изделий применяются компоненты высокого качества. Упомянуты полностью бессвинцовые резисторы. Кроме того, модули удовлетворяют новейшим стандартам JEDEC Raw Card Revision 1.0, обеспечивая стабильность передачи данных и высокую производительность.

Для изделий в качестве опции доступно специальное конформное покрытие, предназначенное для защиты от негативного влияния факторов окружающей среды: повышенных температур, влаги, загрязнений, химических веществ и механических воздействий. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +85 °C.

Кроме того, может быть добавлена защита от сульфирования. Сера широко используется во многих отраслях промышленности. Когда серебряные сплавы в DRAM-чипах подвергаются воздействию сернистых газов, происходит коррозионная реакция: сульфирование приводит к снижению проводимости и быстрому выходу изделий из строя. Для решения проблемы Apacer применяет запатентованную технологию.

Исследователи Лёвенского католического университета (Бельгия), Любекского университета (Германия) и Бирмингемского университета (Великобритания) обнаружили, что система защиты виртуальных машин от атак с использованием вредоносного гипервизора AMD SEV-SNP (Secure Nested Paging), не так безопасна, как утверждает разработчик, пишет The Register.

Технологии Secure Encrypted Virtualization (SEV) предоставляют доверенную среду исполнения (TEE), призванную обеспечить защиту виртуальных машин от незаконных попыток вмешательства со стороны тех, кто имеет доступ к оборудованию ЦОД. Механизм SEV-SNP реализован в процессорах AMD EPYC, начиная с 7003 (Milan). Аналогичные механизмы есть и у конкурентов: Intel Software Guard Extensions (SGX) и Trusted Domain Extensions (TDX), а также Arm Confidential Compute Architecture (CCA). Все эти технологии отвечают за шифрование памяти и изоляцию ресурсов.

Исследователи разработали способ обхода SEV-SNP, который они назвали BadRAM (CVE-2024-21944 и AMD-SB-3015). Для атаки требуется оборудование стоимостью около $10, включая Raspberry Pi Pico, разъём DDR и батарею на 9 В. Атака BadRAM требует наличие физического доступа к оборудованию. Она основана на манипуляциях с чипом SPD (Serial Presence Detect), который передаёт данные о модуле DDR4/DDR5 во время загрузки системы. Манипулируя SPD, злоумышленники создают адреса-фантомы для физической памяти, благодаря которым можно незаметно получить доступ к данным в виртуальной машине.

Источник изображения: badram.eu

«Мы удваиваем видимый в системе объём DIMM, чтобы обмануть контроллер памяти CPU и заставить его использовать дополнительные «фантомные» биты адресации, — объясняют авторы исследования. — Два разных физических адреса теперь ссылаются на одно и то же местоположение DRAM». С помощью таких фантомов злоумышленники могут обойти защиту памяти, раскрывая конфиденциальные данные или вызывя сбои. BadRAM позволяет подделать критически важные отчёты удалённой аттестации и вставлять необнаруживаемые бэкдоры в любую виртуальную машину, защищённую SEV-SNP.

Атака может быть реализована и без физического доступа к оборудованию, поскольку некоторые поставщики DRAM оставляют чип SPD разблокированным, что противоречит спецификациям JEDEC. Авторы исследования обнаружили по крайней мере два DDR4-модуля Corsair без должной защиты SPD. Память DDR3 тоже может быть взломана путём замены чипа SPD.

Источник изображения: badram.eu

«BadRAM полностью подрывает доверие к технологии защищённой зашифрованной виртуализации AMD (SEV-SNP), которая широко используется крупными поставщиками облачных услуг, включая Amazon AWS, Google Cloud и Microsoft Azure», — сообщил The Register Джо Ван Балк (Jo Van Bulck), профессор лаборатории DistriNet на кафедре компьютерных наук KU Leuven.

Исследователи отметили, что решения SGX и TDX Intel не имеют такой уязвимости, поскольку в них реализованы контрмеры против создания псевдонимов (alias) памяти. Arm CCA, судя по спецификации, тоже не имеет проблем, но для проверки этого у исследователей не было коммерческих чипов. Полный доклад об атаке исследователи планируют представить в мае 2025 года на конференции IEEE Symposium on Security and Privacy.

Источник изображения: AMD

Исследователи уведомили AMD о найденных проблемах в феврале 2024 года. «AMD рекомендует использовать модули памяти, которые блокируют SPD, а также следовать передовым практикам в области физической безопасности систем. AMD также выпустила обновления прошивок защиты от уязвимости», — сообщили в AMD ресурсу The Register в ответ на просьбу прокомментировать публикацию исследователей.

Согласно оценкам аналитической компании TrendForce, в III квартале 2024 года глобальный доход производителей памяти DRAM достиг $26,02 млрд (последовательный рост на 13,6 %) на фоне растущего спроса на память DDR5 и HBM для ЦОД, несмотря на снижение поставок памяти LPDDR4 и DDR4 из-за сокращения запасов китайскими брендами смартфонов и расширения мощностей китайскими поставщиками DRAM.

Как и в предыдущем квартале средняя цена продажи (ASP) продолжала расти, чему способствовало, в том числе, вытеснение памятью HBM производства обычной DRAM. При этом контрактные цены выросли на 8–13 %.

В IV квартале TrendForce ожидает квартальный рост общих поставок DRAM в битах, полагая при этом, что ограничения мощностей, вызванные производством HBM, окажут более слабое, чем ожидалось, влияние на цены. Кроме того, расширение мощностей китайскими поставщиками может побудить производителей ПК и бренды смартфонов активно расходовать имеющиеся запасы, чтобы пополнять их более дешёвой DRAM. Это может привести к снижению контрактных цен на обычную DRAM.

Источник изображения: SK hynix

Благодаря росту контрактных цен на DRAM для серверов и ПК в III квартале увеличились доходы трёх крупнейших производителей памяти. Samsung сохранила лидерство с доходом в $10,7 млрд, что на 9 % больше показателя предыдущего квартала. В связи со стратегическим снижением запасов LPDDR4 и DDR4 поставки компанией памяти в битах остались на уровне предыдущего квартала.

На втором месте по-прежнему находится SK hynix с доходом в $8,95 млрд (последовательный рост на 13,1 %). Несмотря на рост поставок HBM3e, более слабые продажи LPDDR4 и DDR4 привели к снижению показателя поставок в битах на 1–3% в квартальном исчислении. Доход Micron вырос на 28,3 % в квартальном исчислении до $5,78 млрд благодаря значительному росту поставок серверной памяти DRAM и HBM3e, что привело к увеличению поставок в битах на 13 % по сравнению с предыдущим кварталом.

Источник изображения: TrendForce

Тайваньские поставщики DRAM, столкнувшиеся в III квартале с падением выручки, значительно отстали от тройки лидеров. У Nanya Technology было отмечено падение поставок в битах более чем на 20 % в квартальном исчислении из-за более слабого спроса на потребительскую DRAM и усиления конкуренции на рынке DDR4 со стороны китайских поставщиков. Операционная прибыль ещё больше снизилась (с -23,4 % до -30,8 %) из-за инцидента с отключением электроэнергии.

Выручка Winbond снизилась в квартальном исчислении на 8,6 % до $154 млн на фоне падения спроса на потребительскую DRAM снизился, что также негативно отразилось на объёме поставок в битах. Наконец, PSMC сообщила о падении выручки от собственного производства потребительской DRAM на 27,6 %. Однако, с учётом полупроводникового производства, её общая выручка от поставок DRAM выросла на 18 % в квартальном исчислении, что обусловлено продолжающимся пополнением запасов клиентами в сфере производства полупроводников.

Компания Innodisk анонсировала модули памяти DDR5-6400 ёмкостью 64 Гбайт, предназначенные для задач с интенсивным использованием данных. Это могут быть приложения ИИ (в том числе генеративного), платформы смешанной реальности, большие языковые модели (LLM), автономные транспортные средства, телемедицинские системы и пр.

Изделия доступны в различных вариантах исполнения — CUDIMM, CSODIMM, ECC CUDIMM, ECC CSODIMM и RDIMM. Помимо версии на 64 Гбайт, серия включает варианты объёмом 8, 16, 32, 24 и 48 Гбайт.

Источник изображения: Innodisk

Модули функционируют при напряжении питания 1,1 В. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +95 °C. Реализована технология TVS (Transient Voltage Suppressor), которая обеспечивает защиту от перепадов напряжения. Контакты модулей имеют покрытие золотом толщиной 30 мкм, благодаря чему улучшается проводимость и обеспечивается защита от окисления: это увеличивает срок службы.

По заявлениям Innodisk, модули памяти DDR5-6400 полностью совместимы с новейшими процессорами AMD и Intel. Среди ключевых сфер применения изделий названы индустриальные и встраиваемые устройства, серверное оборудование, системы видеонаблюдения, платформы промышленной автоматизации и пр. В частности, память может поддерживать работу ресурсоёмких приложений ИИ на периферии. Применительно к телемедицине 3D-визуализация с высоким разрешением и анализ данных в режиме реального времени позволят удалённо проводить пациентам хирургические операции с высокой точностью, говорит компания.

Компания TeamGroup анонсировала модули оперативной памяти DDR5 стандарта CAMM2 (Compression Attached Memory Module 2), предназначенные для использования в промышленной и корпоративной сферах. Изделия подходят для edge-систем, приложений ИИ, платформ управления производственным процессом и пр.

Отмечается, что модули CAMM2 обладают рядом преимуществ по сравнению с SO-DIMM, U-DIMM и R-DIMM. В частности, решения CAMM2 поддерживает двухканальный режим работы с одним модулем, что упрощает архитектуру системы и значительно снижает энергопотребление.

Источник изображения: TeamGroup

Модули CAMM2 используют горизонтальное расположение, то есть монтируются параллельно материнской плате. Благодаря этому повышается эффективность рассеяния тепла. Для установки применяются резьбовые стойки. Утверждается, что память CAMM2 превосходит предыдущие стандарты по возможностям разгона, скорости чтения и задержкам.

Полностью характеристики анонсированных изделий компания TeamGroup пока не раскрывает. Известно, что они функционируют на частоте 6400 МГц. Массовые поставки планируется организовать в I квартале 2025 года.

Нужно отметить, что Комитет стандартизации полупроводниковой продукции (JEDEC) утвердил стандарт CAMM2 в декабре 2023 года. Ширина модулей данного типа составляет 78 мм. На момент анонса спецификации говорилось о поддержке ёмкостей до 128 Гбайт. Предусмотрена возможность использования памяти DDR5 для настольных компьютеров и рабочих станций, а также LPDDR5X для тонких и лёгких ноутбуков. При необходимости модули могут оснащаться радиатором охлаждения.

Компания ADATA Technology анонсировала под брендом XPG свои первые разогнанные модули оперативной памяти DDR5 RDIMM: изделия серии AICORE предназначены для рабочих станций, ориентированных на 3D-рендеринг, приложения ИИ и другие ресурсоёмкие задачи.

Регистровая память AICORE будет предлагаться в версиях DDR5-6400/7200/8000. Ёмкость модулей составляет 16 Гбайт. Изделия совместимы с процессорами AMD Ryzen Threadripper 7000 и Ryzen Threadripper Pro 7000WX, а также с чипами Intel Xeon Emerald Rapids и Xeon Sapphire Rapids. Говорится о поддержке профилей AMD Expo и Intel XMP 3.0. Реализованы две технологии коррекции ошибок — On-die ECC и Side-band ECC, что, по заявлениям разработчика, гарантирует точную и надёжную передачу данных.

Источник изображения: XPG

Контакты модулей имеют покрытие золотом толщиной 30 мкм, благодаря чему улучшается проводимость, обеспечивается защита от окисления и увеличивается долговечность. Применены графеновые радиаторы, которые эффективно отводят тепло, позволяя памяти стабильно работать при длительных высоких нагрузках. Упомянут датчик мониторинга температуры в режиме реального времени.

«Разогнанная память AICORE RDIMM спроектирована для высокой скорости и стабильности, идеально подходя для обработки больших объёмов данных, искусственного интеллекта, 3D-рендеринга и графики, видеомонтажа и многозадачности», — заявляет XPG. Изделия будут предлагаться по отдельности, а также в комплектах из двух штук суммарным объёмом 32 Гбайт. Такие наборы появятся в продаже в I квартале 2025 года.

Компания TeamGroup анонсировала, как утверждается, первые в отрасли модули оперативной памяти промышленного класса DDR5-6400 стандартов CU-DIMM (Clocked Unbuffered DIMM) и CSO-DIMM (Clocked Small Outline DIMM). Эти изделия, обладающие повышенной надёжностью, ориентированы на требовательные приложения, в том числе связанные с ИИ.

Team Group использует технологию, которая даёт возможность регулировать частоту и напряжение в зависимости от нагрузки на систему и условий эксплуатации. Благодаря этому достигаются оптимальные показатели производительности и энергопотребления. Напряжение питания модулей составляет 1,1 В. Реализована поддержка ECC (Error Correction Code).

Источник изображения: TeamGroup

Полностью технические характеристики модулей DDR5-6400 CU-DIMM/CSO-DIMM компания TeamGroup пока не раскрывает. Но отмечается, что они изготавливаются с применением высококачественных чипов DRAM производства SK Hynix. При производстве продуктов применяется уникальная запатентованная технология тестирования и оценки (американский патент №11488679 B1; тайваньский патент №I751093). Модули обоих типов будут предлагаться в нескольких вариантах ёмкости, включая 16 Гбайт.

Компания Rambus объявила о выпуске наборов электронных SMD-компонентов, необходимых для производства модулей ОЗУ RDIMM и MRDIMM нового поколения для серверов. Наборы включают тактовые генераторы, драйверы для управления питанием и некоторые другие компоненты.

В представленный Rambus набор вошли следующие базовый компоненты:

• первый в отрасли регистровый чип пятого поколения (Registering Clock Driver, RCD), позволяющий модулям RDIMM работать со скоростью 8000 МТ/с;
• мультиплексированный регистровый чип (MRCD) и мультиплексированный буфер данных (MDB), позволяющие будущим модулям MRDIMM работать со скоростью до 12 800 MT/с;
• чип управления питанием второго поколения (PMIC5030), разработанный для модулей DDR5 RDIMM-8000 и MRDIMM-12800, поддерживающий сверхвысокие токи при низком напряжении для реализации более высоких скоростей памяти и большего количества DRAM и логических микросхем на модуль;
• чип Serial Presence Detect Hub (SPD) и температурный сенсор (TS).

Источник изображения: Rambus

Компания поясняет, что DDR5 MRDIMM-12800 использует новую конструкцию модуля, которая повышает скорость передачи данных и производительность системы за счёт мультиплексирования двух рангов, эффективно чередуя два потока данных. Это позволяет шине памяти хоста удвоить скорость передачи данных в сравнении с традиционными модулями при использовании тех же физических соединений DDR5 RDIMM.

Для этого требуется чип MRCD, который может адресовать два ранга DRAM в чередующихся тактовых циклах, а также чипы MDB для управления потоками данных к микросхемам DRAM и от них. Для каждого модуля DDR5 MRDIMM-12800 требуется один MRCD и десять чипов MDB. MRCD и MDB также будут поддерживать формфактор Tall MRDIMM с четырьмя рангами.

Компания Micron Technology объявила о старте рассылки образцов модулей памяти DDR5 MRDIMM (Multiplexed Rank Dual Inline Memory Module), специально разработанной для приложений ИИ и HPC. По сравнению с обычными RDIMM у модулей MRDIMM до 39 % выше пропускная способность памяти, на 15 % выше эффективность работы шины и до 40 % ниже задержка. MRDIMM-модули будут иметь ёмкость 32, 64, 96, 128 и 256 Гбайт.

Модули памяти обеспечивают скорость передачи данных 8800 МТ/с и выпускаются в двух форматах: стандартной и увеличенной (TFF, Tall Form Factor) высоты, которые подходят для серверов высотой 1U и 2U. Благодаря улучшенной конструкции модулей TFF температура DRAM снижается до 20 °С при той же мощности и потоке воздуха, обеспечивая более эффективное охлаждение в ЦОД и оптимизируя общее энергопотребление системы для рабочих нагрузок с интенсивным использованием памяти.

Источник изображения: Micron Technology

Сообщается, что новое предложение представляет собой первое поколение семейства Micron MRDIMM и будет совместимо только с процессорами Intel Xeon 6, поскольку стандарт JEDEC для памяти MRDIMM официально ещё не выпущен. Массовые поставки Micron MRDIMM начнутся во II половине 2024 года. Компания сообщила, что последующие поколения MRDIMM будут по-прежнему обеспечивать до 45 % лучшую пропускную способность памяти на канал по сравнению с RDIMM аналогичного поколения.

Ранее образцы MRDIMM (или MR-DIMM) показала ADATA. А SK hynix совместно с Intel и Renesas ещё в конце 2022 года объявила о создании похожего типа памяти — DDR5 MCR (Multiplexer Combined Ranks) DIMM. Весной этого года Micron также показала образцы DDR5-8800 MCR DIMM.