С закатом 3D XPoint и потерей интереса Intel и Micron к данному проекту, на передний план выходят другие технологии энергонезависимой памяти, лишённые недостатков классической NAND. Среди них — резистивная память с произвольным доступом (ReRAM), способная посоперничать в быстродействии с обычной DRAM.
Компания Weebit Nano объявила об успешном выпуске (tape out) первых чипов с интегрированной памятью ReRAM, выполненных с использованием 22-нм техпроцесса FD-SOI. Данная разработка является плодом сотрудничества компании с французским институтом CEA-Leti.
Структура ячейки ReRAM. Виден несколько хаотичный характер токопроводящей нити. Источник здесь и далее: Weebit Nano
Это достаточно серьёзный прорыв, поскольку интегрированная флеш-память плохо масштабируется для техпроцессов тоньше 28 нм. Первый модуль Weebit Nano содержит массив ReRAM объёмом 8 Мбит, управляющую логику, декодеры, I/O-блок и систему коррекции ошибок (ECC). За управление отвечает микроконтроллер с архитектурой RISC-V. Чип являет собой законченный демонстратор технологии, содержащий всё необходимое для всестороннего её тестирования и оценки.
В запатентованной схемотехнике используются гибридные аналого-цифровые цепи и алгоритмы, улучшающие параметры массива ReRAM. Поскольку в основе самих ячеек такой памяти лежит резистивный эффект, ReRAM нечувствительна к электромагнитным полям и радиации, а также хорошо переносит повышенные температуры и радиационное излучение. За подробностями можно обратиться к самой Weebit Nano.
Блок-схема демонстрационного модуля ReRAM, выпущенного компанией Weebit Nano
На фоне гигабитных чипов «традиционной» памяти ёмкость ReRAM в тестовом варианте не выглядит впечатляющей, но, во-первых, это пока демонстрационное решение, а, во-вторых, речь идет о памяти с параметрами, делающими её привлекательной для использования в экономичных встраиваемых системах, работающих в суровой внешней среде — IoT-решениях, в том числе, промышленных, контроллерах сетей 5G или автономном транспорте.
Сам факт выпуска таких чипов позволяет говорить о том, что разработчикам удалось решить проблемы с хаотичным образованием токопроводящих нитей в структуре ReRAM, создав структуры с нужными параметрами, поддерживаемыми более совершенными алгоритмами коррекции ошибок. Впрочем, под вопросом остаётся дальнейшее масштабирование технологии, а также то, что Weebit Nano пока ни словом не обмолвилась о массовом производстве.
Источник:
