Компания Team Group 2025 анонсировала большое количество новинок для индустриального и коммерческого применения. Дебютировали SSD в различных форм-факторах, модули оперативной памяти, а также флеш-карты micro SD.

В частности, представлен накопитель P250Q One-Click Data Destruction SSD, особенность которого заключается в поддержке физического уничтожения флеш-памяти с целью недопустимости извлечения информации. Эта функция дополняет традиционное программное стирание, исключая возможность восстановления конфиденциальных данных.

Кроме того, анонсированы накопители RF40 E1.S Enterprise SSD в форм-факторе E1.S для дата-центров. Эти устройства допускают горячую замену, а за отвод тепла отвечает запатентованный медно-графеновый радиатор толщиной всего 0,17 мм. На промышленный сектор ориентированы изделия серий R840 и R250 типоразмера М.2, оснащённые интерфейсом PCIe 5.0 x4. В этих SSD применён контроллер, при производстве которого используется 6-нм технология TSMC. Информация о вместимости и скоростных характеристиках всех перечисленных изделий пока не раскрывается.

В список новинок вошли модули оперативной памяти промышленного класса DDR5 стандартов CU-DIMM (Clocked Unbuffered DIMM) и CSO-DIMM (Clocked Small Outline DIMM). Они функционируют на частоте 6400 МГц при напряжении питания 1,1 В. Эти модули могут применяться в серверах, индустриальных ноутбуках повышенной прочности и пр.

Источник изображения: Team Group

Анонсированы также модули памяти CAMM2 и LPCAMM2 (Compression Attached Memory Module 2), рассчитанные на промышленные системы, edge-устройства и пр. Такие решения монтируются параллельно материнской плате, благодаря чему занимают меньше места в высоту. Для установки применяются резьбовые стойки. Память соответствует стандарту DDR5-6400.

В число прочих новинок вошли серверные модули памяти CXL 2.0 Server Memory Module. Плюс к этому представлены карты памяти D500R WORM Memory Card и D500N Hidden Memory Card. Первые ориентированы WORM-нагрузки (Write Once, Read Many), что предотвращает стирание или изменение данных. Карты второго типа получили встроенную функцию скрытия разделов.

Компания Advantech анонсировала SSD семейства SQFlash EU-2 PCIe/NVMe для дата-центров и платформ корпоративного уровня. Изделия выполнены на основе чипов флеш-памяти 3D TLC, а для обмена данными используется интерфейс PCIe 5.0 х4.

Дебютировали решения SQF-CU2 EU-2 в форм-факторе SFF U.2 (SFF-8639), SQF-CE3 EU-2 стандарта E3.S (EDSFF 1C), а также SQF-CE1 EU-2 типоразмера E1.S (EDSFF 1C). Во всех случаях реализована поддержка NVMe 2.0, AES-256 и TCG-OPAL. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +70 °C. Накопители могут выдерживать до одной полной перезаписи в сутки (1 DWPD).

Серия SQF-CU2 EU-2 включает модификации вместимостью от 1,9 до 30,7 Тбайт. Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает o 14 000 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 8500 Мбайт/с. Показатель IOPS при произвольном чтении — до 3 млн, при произвольной записи — до 400 тыс. Размеры устройств составляют 100,2 × 69,85 × 15,0 мм.

Источник изображений: Advantech

Изделия SQF-CE3 EU-2, в свою очередь, обладают ёмкостью от 1,9 до 15,3 Тбайт. Скорости последовательного чтения и записи — до 14 000 и 8500 Мбайт/с, величина IOPS при произвольных чтении и записи — до 3 млн и 480 тыс. Габариты — 112,75 × 76,0 × 7,5 мм.

В серию SQF-CE1 EU-2 вошли SSD вместимостью от 1,9 до 7,6 Тбайт. Заявленные скорости последовательного чтения и записи достигают 14 000 и 8300 Мбайт/с, величина IOPS — 3 млн и 220 тыс. при произвольных чтении и записи соответственно. Размеры устройств — 118,75 × 33,75 × 9,0/15,0 мм.

Кроме того, компания Advantech представила SSD семейства SQF-CE1 930L-D в формате E1.S с интерфейсом PCIe 4.0 х4. Они имеют вместимость от 480 Гбайт до 3,8 Тбайт. Скорость последовательного чтения информации составляет дo 6800 Мбайт/с, скорость последовательной записи — до 2000 Мбайт/с.

Компания Vdura анонсировала узел хранения данных V5000 All-Flash Appliance (F Node) типоразмера 1U, предназначенный для использования в составе платформы V5000. Изделие ориентировано на решение ресурсоёмких задач, связанных с ИИ, включая развёртывание генеративных моделей.

Платформа V5000, анонсированная около трёх месяцев назад, объединяет управляющие узлы Director Node формата 1U и гибридные узлы хранения на основе SSD и HDD. Применяется фирменная программная платформа Vdura Data Platform (VDP) v11 с параллельной файловой системой PFS.

Новые узлы F Node допускают установку 12 накопителей NVMe QLC вместимостью до 128 Тбайт каждый. Таким образом, суммарная «сырая» ёмкость узла достигает 1,536 Пбайт. В основу F Node положен процессор AMD EPYC 9005 Turin, функционирующий в тандеме с 384 Гбайт RAM. Задействован 400G-адаптер NVIDIA ConnectX-7 SmartNIC, обеспечивающий низкую задержку при передаче данных. Упомянуты три слота PCIe и один слот OCP 5.0.

Минимальная конфигурация системы V5000 на базе All-Flash включает по три узла Director Node и F Node, которые могут масштабироваться независимо друг от друга для достижения необходимой производительности и/или вместимости. Одна стойка 42U может содержать три узла Director Node и до 39 узлов F Node, что обеспечит 59,9 Пбайт «сырой» ёмкости.

Источник изображения: Vdura

В целом, как утверждается, возможно наращивание ресурсов до тысяч узлов F Node. Компания Vdura предлагает унифицированную высокопроизводительную инфраструктуру, которая способна поддерживать каждый этап жизненного цикла ИИ — от обучения модели до долгосрочного хранения данных.

Корпорация IBM анонсировала систему хранения FlashSystem C200 класса All-Flash, которая, как утверждается, предлагает оптимальный баланс цены, производительности и вместимости. Новинка может рассматриваться в качестве альтернативы платформам на основе HDD и гибридным решениям.

Устройство выполнено в форм-факторе 2U с двумя контроллерами. Задействованы в общей сложности 32 ядра Intel Xeon (модель процессоров не уточняется). Говорится о наличии 32 Гбайт «кеш-памяти». Установлены два блока питания неназванной мощности.

СХД базируется на накопителях FlashCore Modules (FCM) четвёртого поколения: задействованы проприетарные изделия IBM на чипах QLC NAND. Утверждается, что такие изделия обеспечивают в 5,5 раза больше циклов записи, чем стандартные QLC-накопители. В общей сложности в состав FlashSystem C200 включены 24 модуля FCM ёмкостью 46 Тбайт каждый. Это обеспечивает «сырую» вместимость в 1,1 Пбайт, тогда как эффективная ёмкость с учётом компрессии достигает 2,3 Пбайт. Заявленная задержка составляет 1–2 мс, показатель IOPS — до 200 тыс. Пропускная способность — до 23 Гбайт/с. Система оптимизирована для последовательных нагрузок.

Источник изображения: IBM

Система располагает восемью портами 10GbE. Опционально могут быть добавлены порты Ethernet в конфигурации 8 × 25/10GbE NVMe-TCP и Fibre Channel в конфигурации 16 × 32G FC/NVMe-FC. Кроме того, предусмотрен выделенный сетевой порт управления на основе разъёма RJ45.

FlashSystem C200 может применяться в составе многоуровневого хранилища. По заявлениям IBM, новая СХД обеспечивает 10-кратный прирост производительности по сравнению с решениями на базе HDD. При этом достигается снижение энергопотребления, а также повышение экономической эффективности благодаря сокращению капитальных затрат и расходов на техническое обслуживание. Новинка поступит в продажу 21 марта по цене $381 тыс.

Компания Exascend анонсировала SSD семейства PE4 в форм-факторе М.2 2280, способные хранить до 15,36 Тбайт информации. На сегодняшний день это самые вместительные изделия в своём классе. Устройства также доступны в форматах U.2 и E1.S.

В основу накопителей положены чипы флеш-памяти 3D TLC NAND, а для обмена данными служит интерфейс PCIe 4.0 (NVMe 1.4). У стандартных (Standard) решений M.2 2280 заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 3270 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 2980 Мбайт/с. Величина IOPS на операциях произвольного чтения и записи блоками по 4 Кбайт — до 404 тыс. и 52 тыс. соответственно. Вместимость варьируется от 240 Гбайт до 15,36 Тбайт.

Помимо стандартных SSD, серия PE4 М.2 2280 включает варианты Pro и Max. Первые используют чипы 3D TLC NAND, а их ёмкость варьируется от 240 Гбайт до 3,84 Тбайт. Скорость чтения/записи — до 3200/3005 Мбайт/с. Значение IOPS при чтении и записи составляет до 381 тыс. и 121 тыс. соответственно. Накопители Max, в свою очередь, построены на чипах pSLC, а их вместимость — от 240 Гбайт до 1,92 Тбайт. Скорость чтения и записи — до 3075 и 2980 Мбайт/с, показатель IOPS при произвольных чтении и записи — до 436 тыс. и 173 тыс.

Источник изображения: Exascend

Решения типоразмера U.2 и E1.S также доступны в версиях Standard, Pro и Max. Их ёмкость варьируется от 960 Гбайт до 15,36 Тбайт. Скоростные показатели в целом сопоставимы с таковыми у решений М.2 2280.

Все SSD могут эксплуатироваться при температурах от 0 до +70 °C. Значение MTBF (средняя наработка на отказ) достигает 2 млн часов. Говорится о поддержке TCG Opal 2.01, шифрования AES-256, а также аппаратной функции Power Loss Protection (PLP), которая отвечают за сохранность информации при внезапном отключении питания. Производитель предоставляет на изделия пятилетнюю гарантию.

Компания SanDisk, по сообщению Tom's Hardware, поделилась планами по выпуску SSD большой вместимости для ЦОД. Речь идёт о накопителях, выполненных на фирменной платформе UltraQLC. В частности, SanDisk в ближайшие годы намерена создать устройство ёмкостью 1 Пбайт.

Платформа UltraQLC состоит из нескольких ключевых компонентов. Это память Sandisk BICS 8 QLC 3D NAND (четыре бита информации в ячейке), передовой контроллер с 64 каналами NAND, а также встроенное ПО.

По сути, именно кастомизированный контроллер является центральным элементом UltraQLC. Он содержит аппаратные ускорители, оптимизированные для определённых задач. Эти ускорители берут на себя отдельные функции прошивки, благодаря чему сокращается задержка, повышается пропускная способность и улучшается общая надёжность, что особенно важно в случае формирования гипермасштабируемых массивов хранения данных.

Источник изображений: SanDisk

Контроллер также динамически регулирует энергопотребление в зависимости от текущей рабочей нагрузки, обеспечивая оптимальную энергоэффективность. Упомянут усовершенствованный мультиплексор шины, который позволяет полностью задействовать все каналы NAND без ущерба для быстродействия.

В текущем году SanDisk выпустит накопитель UltraQLC DC SN670 вместимостью 128 Тбайт. Это устройство использует интерфейс PCIe 5.0 (NVMe). Утверждается, что по сравнению с лучшими SSD на основе памяти QLC, которые сейчас доступны на рынке, новинка обеспечит рост производительности на 68 % при произвольном чтении и на 55 % при произвольной записи. При последовательных чтении и записи прибавка заявлена на уровне 7 % и 27 % соответственно.

На 2026 год SanDisk наметила выпуск накопителя UltraQLC, способного хранить 256 Тбайт информации. В 2027-м ожидается появление варианта вместимостью 512 Тбайт. После этого выйдет модель на 1 Пбайт: точная дата анонса такого SSD не называется, но, по всей видимости, произойдёт это до конца текущего десятилетия.

Western Digital (WD) провела День инвестора в преддверии выделения Sandisk в отдельную компанию по выпуску NAND-накопителей, на котором представила планы по внедрению технологии магнитной записи с подогревом записывающего слоя носителя (HAMR), пишет ресурс Blocks & Files.

Выделение Sandisk в отдельный бизнес связано с тем, что цена акций WD не отражает её фактическую стоимость, отметил Blocks & Files. Предполагается, что в качестве независимой компании Sandisk будет иметь многомиллиардную оценку, что сулит прибыль текущим акционерам WD, которым будет предоставлено 0,33333 акции Sandisk за каждую принадлежащую им акцию WD.

Ирвинг Тан (Irving Tan), который в дальнейшем будет возглавлять производителя жёстких дисков WD, сообщил инвесторам, что с 2023 по 2028 год объём сгенерированных данных вырастет в 3 раза и составит 394 Збайт. Более половины этого объёма (59 %), будет приходиться на корпоративные ЦОД и публичное облако, 15 % — на периферийные площадки, а ещё 26 % — на конечные устройства, такие как ПК и ноутбуки.

Источник изображений: Western Digital

В основных и периферийных ЦОД в 2028 году, как ожидается, будет храниться 3043 Эбайт данных, причем большую часть из них — на Nearline HDD. Это связано с тем, что, по словам WD, корпоративные SSD будут продолжать стоить в шесть раз больше из расчёта за 1 Тбайт, чем диски Nearline, а стоимость приобретения составляет большую часть общих расходов на владение SSD и HDD за весь срок службы. Сообщается, что у SSD совокупная стоимость владения в 3,6 раза выше, чем у HDD, с учётом затрат на приобретение, энергопотребления и других расходов.

WD планирует обеспечить себе сильные позиции на рынке жёстких дисков благодаря выпуску дисков большей ёмкости с переходом на технологию HAMR. В настоящее время компания выпускает жёсткие диски на базе технологии энергосберегающей перпендикулярной магнитной записи (ePMR) второго поколения с использованием улучшенной черепичной записи UltraSMR (32 Тбайт) и традиционной записи CMR (26 Тбайт).

При этом WD использует в дисках 11 пластин, тогда как у Seagate есть 10-пластинные диски с HAMR и SMR на 32 Тбайт, а вскоре станут общедоступными 36-Тбайт HDD. Модели ёмкостью 40 Тбайт запланированы к выходу на конец этого года, а в 2026 году планируется выпускать уже 50-Тбайт диски. Это обеспечит Seagate преимущество в плотности записи и стоимости продукта. Toshiba сделала ставку на FC-MAMR (Flux Control Microwave Assisted Magnetic Recording), магнитную запись с микроволновой поддержкой с управляемым потоком, и пока предлагает накопители с десятью пластинами ёмкостью до 28 Тбайт (SMR).

WD раскрыла свои планы по выпуску HDD до 2030 года и на дальнейший период. Диски с технологией HAMR появятся в 2026 году — с обычной магнитной записью (CMR) ёмкостью 36 Тбайт и с черепичной (SMR) на 44 Тбайт. WD ожидает, что эти диски будут квалифицированы её клиентами среди провайдеров ЦОД к концу 2026 года, когда она начнёт их массовое производство. Компания планирует начать массовые поставки своих накопителей HAMR в I половине 2027 года.

WD также намерена начать выпуск дисков с записью CMR ёмкостью 80 Тбайт и дисков с SMR ёмкостью 100 Тбайт после 2030 года, а затем перейти к выпуску дисков с технологией магнитной записи с точечным подогревом (HDMR) ёмкостью более 100 Тбайт. Для сравнения — Pure Storage, которая уверена, после 2028 года SSD полностью вытеснят HDD из ЦОД, уже представила накопители ёмкостью 150 Тбайт, а теперь готовит и 300-Тбайт модули.

Компания заявила, что большая часть её капитальных затрат и бюджета выделяется на разработку дисков с технологией HAMR. Два клиента из числа гиперскейлеров уже начали тестирование таких дисков, пишет Tom's Hardware со ссылкой на заявление Тана. В свою очередь Seagate сообщила, что тестирование дисков с технологией HAMR заняло много лет. Аналитик Wedbush Мэтт Брайсон (Matt Bryson) подтвердил, что с первой попытки получить рабочий диск с HAMR проблематично.

Компания Swissbit анонсировала SSD семейства A1200, рассчитанные на использование в коммерческом и индустриальном сегментах. Изделия подходят для таких задач, как автоматизация, робототехника, аналитика данных, периферийные вычисления и пр. Накопители выполнены в форм-факторе М.2 2280 на основе чипов флеш-памяти 3D eTLC NAND. Задействован интерфейс PCIe 4.0 х4 (NVMe 1.4). Устройства способны выдерживать до одной полной перезаписи в сутки (1 DWPD) на протяжении пяти лет.

В серию вошли модели вместимостью 480 Гбайт, 960 Гбайт и 1,92 Тбайт. Скорость последовательного чтения информации достигает 6000 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 1800 Мбайт/с. Величина IOPS при работе с блоками данных по 4 Кбайт составляет до 800 тыс. при произвольном чтении и до 60 тыс. при произвольной записи. Реализована поддержка TCG Opal 2.0 и шифрования AES-256, а также функции безопасного удаления информации Crypto Erase.

Источник изображения: Swissbit

Накопители используют фирменную технологию Swissbit powersafe с высококачественными танталовыми конденсаторами, которая обеспечивает защиту от сбоев питания и гарантирует целостность данных даже в условиях нестабильного энергоснабжения. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +70 °C. Кроме того, компания Swissbit предложит изделия A1000 с аналогичными техническими характеристиками: эти SSD могут эксплуатироваться при температурах от -25 до +85 °C. Все накопители будут предлагаться в модификациях с радиатором охлаждения и без такового.

Компания Solidigm объявила о продлении соглашения о сотрудничестве с Broadcom, затрагивающего SSD для дата-центров и корпоративных систем. В рамках многолетнего договора Solidigm будет использовать контроллеры Broadcom в накопителях большой вместимости, рассчитанных на работу с приложениями ИИ и другими ресурсоёмкими задачами.

Отмечается, что кастомизированные контроллеры Broadcom уже больше десяти лет применяются в SSD Solidigm. Сотрудничество между двумя компаниями в соответствующей сфере охватывает все ключевые типы накопителей — устройства с интерфейсами SATA, SAS и PCIe (NVMe). Суммарный объём поставок накопителей Solidigm с контроллерами Broadcom на сегодняшний день превышает 120 млн штук.

Источник изображения: Solidigm

Новое соглашение в числе прочего распространяется на SSD D5-P5336, которые были официально представлены в ноябре 2024 года. Эти устройства имеют вместимость до 122,88 Тбайт. Основой служат 192-слойные чипы флеш-памяти QLC 3D NAND. Для устройств предусмотрены варианты исполнения U.2 и E1.L (PCIe 4.0 x4). Скорость последовательного чтения составляет до 7400 Мбайт/с, скорость последовательной записи — до 3200 Мбайт/с. Массовые поставки накопителей будут организованы в ближайшее время.

Solidigm планирует использовать контроллеры Broadcom в SSD следующего поколения для дата-центров, ориентированных на ИИ-задачи. Сотрудничество компаний, как утверждается, поможет заказчикам в построении эффективной инфраструктуры ЦОД.

Спрос на SSD для серверов и корпоративных систем растёт. По оценкам, в III квартале 2024-го суммарная выручка поставщиков таких решений подскочила на 28,6 % по сравнению со II четвертью года. Общий объём закупок SSD поднялся в квартальном исчислении на 15 %.

Silicon Motion, по сообщению ресурса Tom's Hardware, проектирует SSD-контроллер следующего поколения — изделие SM8466. Это будет первое решение компании для высокопроизводительных накопителей с интерфейсом PCIe 6.0.

Подробностей о новинке на сегодняшний день не слишком много. Известно, что SM8466 войдёт в семейство контроллеров MonTitan, на основе которых создаются устройства для дата-центров и систем корпоративного класса. Ожидается, что изделие получит поддержку PCIe 6.0 x4 и обеспечит пропускную способность до 30,25 Гбайт/с в обоих направлениях.

Пока не ясно, какой техпроцесс Silicon Motion намерена использовать при изготовлении SM8466. Известно, что контроллер SM2508 с поддержкой PCIe 5.0 x4, который предназначен для клиентских накопителей, производится с применением TSMC N6 (класс 6 нм). Таким образом, высказываются предположения, что решение нового поколения будет базироваться на более «тонкой» технологии.

Источник изображения: Silicon Motion

Как отмечает Tom's Hardware, контроллер SM8466 получит функции обеспечения безопасности корпоративного класса. Упомянута улучшенная совместимость с флеш-памятью NAND разного типа, включая 3D TLC и 3D QLC. На какой стадии находится разработка SM8466, не уточняется. Но генеральный директор Silicon Motion Уоллес Коу (Wallace C. Kou) подтвердил факт существования проекта.

Сетевые источники добавляют, что Silicon Motion несколько отстала от своего главного конкурента в лице Phison с контроллерами, поддерживающими интерфейс PCIe 5.0. В частности, Phison опередила всю отрасль, выпустив решение PS5026-E26 с поддержкой PCIe 5.0 x4: это контроллер может применяться и в потребительских, и в корпоративных SSD. Впоследствии Silicon Motion представила более производительное конкурирующее изделие MonTitan SM8366 для накопителей, рассчитанных на ЦОД.