Компания SK hynix объявила о разработке высокопроизводительных SSD семейства PEB110, предназначенных для применения в дата-центрах. Утверждается, что эти накопители обеспечивают двукратный рост производительности и более чем 30-% улучшение энергоэффективности по сравнению с изделиями предыдущего поколения.
Новинки, выполненные в форм-факторе E1.S, оснащены интерфейсом PCIe 5.0. Вместимость составляет 2, 4 и 8 Тбайт. Накопители выполнены на основе 238-слойных чипов флеш-памяти 4D NAND. Говорится о поддержке спецификации OCP 2.5. Кроме того, упомянута технология SPDM (Security Protocol and Data Model): она отвечает за безопасную аутентификацию и мониторинг серверов. Прочие технические характеристики пока не раскрываются.
Источник изображения: SK hynix
SSD серии PEB110 ориентированы на работу с ресурсоёмкими ИИ-приложениями. В настоящее время устройства проходят квалификацию у потенциальных заказчиков из числа крупных операторов ЦОД. Массовое производство накопителей планируется организовать во II квартале 2025 года.
«Новый продукт создан на основе лучшей в своём классе памяти 4D NAND, которая может похвастаться самыми высокими в отрасли показателями производительности, качества и стоимости», — говорит Ан Хён (Ahn Hyun), глава подразделения N-S Committee в составе SK hynix.
Источник:
